[发明专利]一种制造高散热发光元件的方法

权利要求书

1.一种制造发光元件的方法，其步骤包含：

提供具有发光结构的晶片，包含：

生长基板，该生长基板具有生长基板的第一表面，其中该生长基板具 有透明材料；

发光叠层，形成于该生长基板的与该第一表面相对的另一表面之上， 该发光叠层具有发光叠层的第一表面；以及

第一欧姆接触层，形成于该发光叠层之上，该第一欧姆接触层具有第 一欧姆接触层的第一表面；

连接暂时载体于该第一欧姆接触层的第一表面；

于连接该暂时载体之后，薄化该生长基板；

分离该具有发光结构的晶片以形成至少一发光晶粒；以及

于该发光晶粒形成之后，连接该发光晶粒于一高散热基板，其中该高散 热基板的一上表面的表面积至少为该发光晶粒的一下表面的表面积至少1.5 倍。

2.如权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中该发光叠层的材料包 含Al_xGa_yIn_1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，或Al_aGa_bIn_1-a-bP，0≤a≤1， 0≤b≤1，0≤a+b≤1。

3.如权利要求1所述的制造发光元件的方法，在连接该暂时载体之前， 还包含形成至少一第一垫片于该第一欧姆接触层的第一表面之上。

4.如权利要求1所述的制造发光元件的方法，在薄化该生长基板之后， 还包含：

形成第二欧姆接触层于该生长基板的第一表面；以及

形成反射层于该生长基板的第一表面，且邻接于该第二欧姆接触层。

5.如权利要求1所述的制造该发光元件的方法，在薄化该生长基板之后， 还包含形成反射层于该发光晶粒与该高散热基板之间。

6.如权利要求1所述的制造发光元件的方法，其中该高散热基板的材料 择自由铜(Cu)、钨(Wu)、氮化铝(AlN)、金属基复合材料(Metal Matrix  Composite；MMC)、陶瓷基复合材料(Ceramic Matrix Composite；CMC)、 碳化硅(SiC)、铝(Al)、硅(Si)、钻石(Diamond)及上面所述材料的组合所构成 的群组。

7.如权利要求1所述的制造发光元件的方法，在形成该发光晶粒之前， 还包含移除该暂时载体。

8.一种制造发光元件的方法，包含：

提供具有发光结构的晶片，包含：

生长基板，该生长基板具有生长基板的第一表面，其中该生长基板 具有透明材料；

发光叠层，形成于该生长基板的与第一表面相对的另一表面之上； 以及

第一欧姆接触层，具有第一欧姆接触层的第一表面，且形成于该发 光叠层之上；

连接暂时载体于该第一欧姆接触层的第一表面；

薄化该生长基板；

于薄化该生长基板之后，分离该具有发光结构的晶片以形成至少一发光 晶粒；

连接该发光晶粒于高散热材质组成的晶片；以及

连接该发光晶粒之后，分离该高散热材质组成的晶片以形成至少一该发 光元件。

9.如权利要求8所述的制造发光元件的方法，在连接该暂时载体之前， 还包含形成至少一第一垫片于该第一欧姆接触层的第一表面之上。

10.如权利要求8所述的制造发光元件的方法，在薄化该生长基板之 后，还包含：

形成至少一开孔于该生长基板并暴露部分该发光叠层；以及

形成第二欧姆接触层于该开孔之中并接触该发光叠层。

11.如权利要求8所述的制造发光元件的方法，在连接该发光晶粒之 前，还包含形成反射层于该生长基板与该高散热材质组成的晶片之间。