[发明专利]一种制造高散热发光元件的方法

说明书

技术领域

本发明关于一种高散热发光元件的制造方法，尤其关于一种具有较大面 积的高散热基板的发光元件。

背景技术

发光二极管(Light-emitting Diode；LED)是一种固态物理半导体元件， 其至少包含一p-n结(p-n junction)，此p-n结形成于p型与n型半导体层之 间。当于p-n结上施加一定程度的偏压时，p型半导体层中的空穴与n型半 导体层中的电子会结合而释放出光。此光产生的区域一般又称为发光区 (active region)。

LED为了特定的目的会转换基板，例如使用散热佳的铜基板，可以提升 LED的饱和电流。一般而言，转换至散热基板后，原本的生长基板会被移除， 最后再将晶片分离形成各个独立的晶粒。然而每个晶粒的散热基板的上表面 的表面积大约与外延层的下表面的表面积相等，饱和电流提升的程度不足。

另一种制作方式是先将原本包含生长基板与外延层的晶片分离成晶粒， 再将各个晶粒置于散热基板的晶片之上，移除生长基板后进行黄光工艺制作 电极，最后再将包含各颗外延层的散热基板的晶片分离成晶粒，如此每个晶 粒可以具有较大的散热基板。然而因为在将各个晶粒置于散热基板的晶片时 会造成错位，即晶粒偏移原本在基座上预设的位置，所以在黄光制作电极的 工艺之中，光掩模的图案无法对准各个晶粒，电极不易形成在晶粒上，降低 成品率。

发明内容

提供具有发光结构的晶片，包含生长基板；发光叠层，形成于生长基板 之上；第一欧姆接触层，形成于发光叠层之上；与至少一第一垫片，形成于 第一欧姆接触层的第一表面之上；其中发光叠层至少包含有源层。将暂时载 体连接至第一欧姆接触层的第一表面与第一垫片之上，接者移除生长基板以 裸露发光叠层的第一表面。在发光叠层的第一表面形成第二欧姆接触层与反 射层，其中第二欧姆接触层系被反射层围绕。将具有发光结构的晶片移除暂 时载体后，分离形成多个发光晶粒，并将各个发光晶粒分别连接至各个高散 热基板，以形成发光元件。

提供具有发光结构的晶片，包含生长基板；发光叠层，形成于生长基板 之上；第一欧姆接触层，形成于发光叠层之上；与至少一第一垫片，形成于 第一欧姆接触层的第一表面之上；其中发光叠层至少包含有源层。将暂时载 体连接至第一欧姆接触层的第一表面与第一垫片之上，接者薄化生长基板至 其厚度至多为约20微米。在生长基板的第一表面形成第二欧姆接触层与反 射层，其中第二欧姆接触层被反射层围绕。或者形成多个开孔于生长基板之 中并暴露部分发光叠层，形成第二欧姆接触层于开孔之中并接触发光叠层， 接者形成反射层于生长基板的第一表面之上，并与第二欧姆接触层接触。将 具有发光结构的晶片移除暂时载体后，分离形成多个发光晶粒，并将各个发 光晶粒分别连接至各个高散热基板，以形成发光元件。

附图说明

图1是显示依据本发明一实施例的高散热发光元件的制造流程剖面图；

图2是显示依据本发明一实施例的高散热发光元件的剖面图；

图3是显示依据本发明另一实施例的高散热发光元件的剖面图；

图4是显示依据本发明另一实施例的高散热发光元件的制造流程剖面 图；

图5是显示依据本发明另一实施例的高散热发光元件的剖面图；

图6是显示依据本发明又另一实施例的高散热发光元件的剖面图；

图7是为示意图，显示利用本发明实施例的高散热发光元件组成的一光 源产生装置的示意图；

图8是示意图，显示利用本发明实施例的发光元件组成的一背光模组的 示意图。

主要元件符号说明

具有发光结构的晶片1，5

生长基板10，50

生长基板的第一表面502

发光叠层12，52

有源层122，522

发光叠层的第一表面124

第一欧姆接触层13，53

第一欧姆接触层的第一表面132，532

第一垫片14，54

第二垫片15，55

暂时载体16，56

第二欧姆接触层11，51

反射层18，58

发光晶粒2，4，6，8

下表面22，42，62，82