[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

有源区，包括源区、漏区和沟道区；

栅电极、源电极和漏电极，形成在所述有源区的周围；

多个栅指，从所述栅电极分叉至所述沟道区中；

多个源指，从所述源电极分叉至所述源区中，所述源指以预定的图样布置于所述栅指之间，所述源指具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线；以及

多个漏指，从所述漏电极分叉至所述漏区中，所述漏指布置于其中没有布置所述源指的所述栅指之间，

其中，所述至少一根栅格线包括第一栅格线和第二栅格线，所述第一栅格线包括至少一根栅格线，所述第二栅格线包括至少一根栅格线，所述源指具有至少两根通过所述第一栅格线相互连接的指线，所述第二栅格线形成在与其中形成所述源指和所述漏指的半导体层不同的半导体层上以便所述第二栅格线不电连接至所述源指和所述漏指。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述漏指具有至少两根通过至少一根栅格线相互连接的指线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述有源区以矩形的形状形成，

所述栅电极位于所述有源区一侧的上方，

所述漏电极位于与所述栅电极相对的所述有源区另一侧的上方，以及

具有两个源电极，所述两个源电极位于所述有源区的剩余侧以便所述源电极彼此相对。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，用于所述源指的所述至少一根栅格线包括多根相互平行排列的栅格线。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅指、所述漏指和所述源指由金属制成，并且所述栅指、所述漏指和所述源指形成在不同的半导体层上方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅指、所述漏指和所述源指由铜线或铝线中的至少一种制成。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅指和所述漏指形成在相同的半导体层上方。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述源指和所述漏指形成在不同的半导体层上方。

9.根据权利要求2所述的装置，其中，用于所述漏指的所述至少一根栅格线包括多根相互平行排列的栅格线。

10.一种半导体器件，包括：

有源区，包括源区、漏区和沟道区；

栅电极、源电极和漏电极，形成在所述有源区的周围；

多个栅指，从所述栅电极分叉至所述沟道区中；

多个源指，从所述源电极分叉至所述源区中，所述源指以预定的图样布置于所述栅指之间，至少一根栅格线垂直地连接在所述有源区外部的第一源电极和第二源电极之间，所述至少一根栅格线包括第一栅格线和第二栅格线，所述第一栅格线包括至少一根栅格线，所述第二栅格线包括至少一根栅格线，所述源指具有至少两根通过所述第一栅格线相互连接的指线，所述第二栅格线形成在与其中形成所述源指和所述漏指的半导体层不同的半导体层上以便所述第二栅格线不电连接至所述源指和所述漏指；以及

多个漏指，从所述漏电极分叉至所述漏区中，所述漏指布置于其中没有布置所述源指的所述栅指之间，所述漏指具有至少两根通过第三栅格线相互连接的指线。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

所述有源区以矩形的形状形成，

所述栅电极位于所述有源区一侧的上方，

所述漏电极位于与所述栅电极相对的所述有源区另一侧的上方，以及

两个源电极位于所述有源区的彼此相对的剩余侧上方。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，进一步包括：

源电极连接线，用于使在所述有源区外部的所述两个源电极相互连接，所述源指从所述源电极连接线分叉。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，用于所述源指的所述至少一根栅格线包括多根相互平行排列的栅格线。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，用于所述漏指的所述至少一根栅格线包括多根相互平行排列的栅格线。

15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述至少一根栅格线包括多根形成在不同层上方的栅格线。

16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述栅指、所述漏指和所述源指由金属制成，并且所述栅指、所述漏指和所述源指形成在不同的半导体层上方。