[发明专利]形成低电容的ESD器件的方法及其结构

权利要求书

1.一种ESD器件，其包括：

所述ESD器件的第一端子；

所述ESD器件的第二端子；

齐纳二极管，其具有耦合到所述ESD器件的所述第二端子的正 极，并且还具有负极；

第一P-N二极管，其被耦合为与所述齐纳二极管串联，所述第 一P-N二极管具有正极和负极；

第二P-N二极管，其被耦合为与所述齐纳二极管和所述第一P-N 二极管的串联组合并联，所述第二P-N二极管具有负极，并且还具有 被耦合到所述齐纳二极管的所述正极和所述ESD器件的所述第二端 子的正极；

半导体衬底，其具有第一传导类型，并具有不小于1×10¹⁹原子 /cm³的第一峰值掺杂浓度；

第一半导体区域，其具有第二传导类型，并具有大约所述第一峰 值掺杂浓度，并且与所述半导体衬底形成第一P-N结，其中所述第一 P-N结形成所述齐纳二极管的结；

第二半导体区域，其具有所述第二传导类型，所述第二半导体区 域在所述第一半导体区域上并且还在所述半导体衬底的一部分上，其 中所述第二半导体区域具有小于所述第一峰值掺杂浓度的第二峰值 掺杂浓度；

第一掺杂区域，其具有所述第一传导类型，所述第一掺杂区域设 置在所述第二半导体区域内且上覆所述第一半导体区域，所述第一掺 杂区域与所述第一半导体区域间隔开至少2微米的距离，所述第一掺 杂区域具有大约所述第一峰值掺杂浓度；以及

第一槽隔离区域，其从所述第二半导体区域的顶表面穿过所述第 一半导体区域延伸并进入所述半导体衬底，其中所述第一槽隔离区域 围绕所述第一掺杂区域的外部边界，

其中，所述第一P-N二极管的正极连接到所述ESD器件的第一 端子，所述第一P-N二极管的负极连接到所述齐纳二极管的负极。

2.根据权利要求1所述的ESD器件，其中所述第二半导体区域 没有位于所述第一半导体区域和所述第一掺杂区域之间的所述第一 传导类型的掺杂区域。

3.根据权利要求1所述的ESD器件，其进一步包括所述第二传 导类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域位于所述第二半导体区域 内并且未上覆所述第一半导体区域，所述第二掺杂区域与所述第一掺 杂区域间隔开第二距离，并且还位于所述第一槽隔离区域外且与所述 第一半导体区域间隔开至少2微米的距离，所述第二掺杂区域具有大 约所述第一峰值掺杂浓度；以及

第二槽隔离区域，其从所述第二半导体区域的顶表面穿过所述第 二半导体区域延伸并进入所述半导体衬底，其中所述第二槽隔离区域 围绕所述第二掺杂区域的外部边界。