[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有：第一步骤，至少在半导体衬底的主面侧和背面侧，依次形成具有防止金属扩散的功能的第一材料膜、具有防止金属扩散的功能并且材料与所述第一材料膜不同的第二材料膜、以及针对第一药液的刻蚀速度比所述第一材料膜慢并且针对第二药液的刻蚀速度比所述第二材料膜慢的第三材料膜；第二步骤，在所述第一步骤结束后，在所述半导体衬底的主面侧，将所述第一材料膜、所述第二材料膜及所述第三材料膜的层叠结构构图为预定的图形形状，在所述主面侧，使一部分所述半导体衬底面露出；第三步骤，在所述第二步骤结束后，对残留在所述主面侧的所述第三材料膜进行刻蚀除去，并且，对在所述主面侧露出的所述半导体衬底进行干法刻蚀处理，形成槽结构；第四步骤，在所述第三步骤结束后，在所述主面侧的整个面上形成材料与所述第二材料膜不同的埋入用绝缘膜；第五步骤，在所述第四步骤结束后，对所述主面侧进行平坦化处理，直到所述第二材料膜的表面在所述主面侧露出；第六步骤，在所述第五步骤结束后，使用所述第二药液进行湿法刻蚀处理，刻蚀除去所述主面侧的所述第二材料膜，直到形成在所述主面侧的所述第一材料膜露出；第七步骤，在所述第六步骤结束后，使用所述第一药液进行湿法刻蚀处理，刻蚀除去所述主面侧的所述第一材料膜，直到所述半导体衬底面在所述主面侧露出，

所述第一步骤将所述第三材料膜形成得比所述第三材料膜由所述第六步骤及所述第七步骤刻蚀的膜厚厚。

2.如权利要求1的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一材料膜是氧化硅膜，

所述第二材料膜是氮化硅膜，

所述第三材料膜是多晶硅膜。

3.如权利要求2的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一步骤以热氧化法形成所述第一材料膜，以低压CVD法形成所述第二材料膜及所述第三材料膜。

4.如权利要求2或权利要求3的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一药液是低浓度的HF水溶液，所述第二药液是磷酸溶液。

5.一种以如下方法制造的半导体装置，其中，

该方法具有：第一步骤，至少在半导体衬底的主面侧和背面侧，依次形成具有防止金属扩散的功能的第一材料膜、具有防止金属扩散的功能并且材料与所述第一材料膜不同的第二材料膜、以及针对第一药液的刻蚀速度比所述第一材料膜慢并且针对第二药液的刻蚀速度比所述第二材料膜慢的第三材料膜；第二步骤，在所述第一步骤结束后，在所述半导体衬底的主面侧，将所述第一材料膜、所述第二材料膜及所述第三材料膜的层叠结构构图为预定的图形形状，在所述主面侧，使一部分所述半导体衬底面露出；第三步骤，在所述第二步骤结束后，对残留在所述主面侧的所述第三材料膜进行刻蚀除去，并且，对在所述主面侧露出的所述半导体衬底进行干法刻蚀处理，形成槽结构；第四步骤，在所述第三步骤结束后，在所述主面侧的整个面上形成材料与所述第二材料膜不同的埋入用绝缘膜；第五步骤，在所述第四步骤结束后，对所述主面侧进行平坦化处理，直到所述第二材料膜的表面在所述主面侧露出；第六步骤，在所述第五步骤结束后，使用所述第二药液进行湿法刻蚀处理，刻蚀除去所述主面侧的所述第二材料膜，直到形成在所述主面侧的所述第一材料膜露出；第七步骤，在所述第六步骤结束后，使用所述第一药液进行湿法刻蚀处理，刻蚀除去所述主面侧的所述第一材料膜，直到所述半导体衬底面在所述主面侧露出，

在所述第一步骤中，将所述第三材料膜形成得比所述第三材料膜由所述第六步骤及所述第七步骤刻蚀的膜厚厚。