[发明专利]场效应晶体管及形成场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管包括：

体，包括包含硅的体部分和包含宽带隙半导体材料的体部分；以及

漏极区域，包括邻接所述包含宽带隙半导体材料的体部分的包含宽带隙半导体材料的漏极部分，其中所述包含宽带隙半导体材料的体部分和所述包含宽带隙半导体材料的漏极部分包括具有比硅更宽的带隙的半导体材料，所述包含宽带隙半导体材料的体部分和所述包含宽带隙半导体材料的漏极部分包括其中硅与碳之间的原子比率为1的化学计量碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化硼、以及金刚石中的一种。

2.根据权利要求1的场效应晶体管，还包括垂直邻接所述体的栅极介质。

3.根据权利要求2的场效应晶体管，其中所述漏极区域还包含邻接所述栅极介质的包含硅的漏极部分。

4.根据权利要求2的场效应晶体管，其中所述包含宽带隙半导体材料的体部分邻接所述栅极介质。

5.根据权利要求2的场效应晶体管，其中所述体还包括邻接所述包含宽带隙半导体材料的体部分和所述栅极介质的漏极侧晕圈区域。

6.根据权利要求2的场效应晶体管，还包括源极区域，所述源极区域包括包含硅锗合金的源极部分并邻接所述体。

7.根据权利要求6的场效应晶体管，其中所述体还包括包含硅锗合金的体部分。

8.根据权利要求6的场效应晶体管，其中所述源极区域还包括邻接所述栅极介质的包含硅的源极部分。

9.根据权利要求6的场效应晶体管，其中所述体还包括邻接所述包含硅锗合金的源极部分的源极侧晕圈区域。

10.根据权利要求1的场效应晶体管，还包括：

掩埋的绝缘体层，垂直邻接所述体；以及

处理衬底，垂直邻接所述掩埋的绝缘体层。

11.一种形成场效应晶体管的方法，包括：

提供具有半导体区域的衬底；

在所述半导体区域上形成栅极介质、栅极电极、以及栅极隔离物；

在所述半导体区域的一部分中形成直接邻接所述栅极隔离物的一个侧面的沟槽；

通过填充所述沟槽，形成包含具有比硅更宽的带隙的半导体材料的宽带隙半导体材料区域，所述宽带隙半导体材料区域包括其中硅与碳之间的原子比率为1的化学计量碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化硼、以及金刚石中的一种；以及

将掺杂剂注入到所述宽带隙半导体材料区域的一部分中以形成包含宽带隙半导体材料的漏极部分。

12.根据权利要求11的方法，还包括：

在所述半导体区域的顶表面上形成源极和漏极扩展；以及

在所述宽带隙半导体材料区域的所述部分的所述注入之前，在所述栅极电极上形成另一栅极隔离物。

13.根据权利要求12的方法，其中不使用所述掺杂剂注入所述宽带隙半导体材料区域的另一部分，其中所述另一部分是所述场效应晶体管的体的一部分。

14.根据权利要求11的方法，还包括掩蔽直接邻接所述栅极隔离物的另一侧面的所述半导体区域的另一部分，其中在形成所述沟槽期间不蚀刻所述另一部分。

15.根据权利要求14的方法，还包括：

在所述半导体区域的所述另一部分中形成另一沟槽；以及

通过填充所述另一沟槽来形成硅锗合金区域。

16.根据权利要求15的方法，还包括掩蔽所述宽带隙半导体材料区域，其中在蚀刻所述另一沟槽期间不蚀刻所述宽带隙半导体材料区域。

17.根据权利要求15的方法，还包括形成源极侧晕圈区域，其中所述源极侧晕圈区域邻接所述栅极介质和所述硅锗合金区域。

18.根据权利要求11的方法，还包括形成漏极侧晕圈区域，其中所述漏极侧晕圈区域邻接所述栅极介质和所述宽带隙半导体材料区域。