[发明专利]配置有硅片限制件模块的前开式硅片盒有效
申请号: | 200810215129.9 | 申请日: | 2008-09-01 |
公开(公告)号: | CN101667552A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 林志铭;潘冠纶 | 申请(专利权)人: | 家登精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;B65D85/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 配置 硅片 限制 模块 前开式 | ||
1.一种配置有硅片限制件模块的前开式硅片盒,主要包括一盒体,该盒体内部设有多个插槽以容置多个硅片,且在该盒体的一侧面形成一开口可供该多个硅片的输入及输出,以及一门体,具有一外表面及一内表面,该门体以该内表面与该盒体的该开口相结合,并用以保护该盒体内部的该多个硅片,其特征在于:所述前开式硅片盒的该门体的该内表面中配置一凹陷区域以将该内表面分割成两个凸出平台并于该两凸出平台上各固接一限制件模块,每一该凸出平台上的该限制件模块由多个限制件排列所组成,且每一该限制件与另一凸出平台上的限制件模块中的限制件对齐,其中每一该限制件具有一基部以及一与该基部的一端连接并向该凹陷区域弯折的支撑臂且于该支撑臂的自由端上,再形成一向下弯曲的顶持部,通过该些顶持部与该些硅片接触,其中于所述多个硅片与所述多个顶持部接触后,所述多个顶持部均位于该两凸出平台上方。
2.如权利要求1所述的前开式硅片盒,其特征在于:每一该顶持部上进一步形成一近似V形的导槽结构。
3.如权利要求1所述的前开式硅片盒,其特征在于:每一该限制件模块是一体成形的结构。
4.如权利要求1所述的前开式硅片盒,其特征在于:该顶持部与硅片接触的区域的表面包覆一耐磨耗材。
5.如权利要求1所述的前开式硅片盒,其特征在于:该顶持部为一耐磨耗材。
6.如权利要求1所述的前开式硅片盒,其特征在于:该基部与该支撑臂间形成一锐角。
7.如权利要求1所述的前开式硅片盒,其特征在于:该两凸出平台中均配置一门闩装置。
8.一种配置有硅片限制件模块的前开式硅片盒,包括一盒体,该盒体内部设有多个插槽以容置多个硅片,且在该盒体的一侧面形成一开口可供该多个硅片的输入及输出,以及一门体,具有一外表面及一内表面,该门体是以该内表面与该盒体的该开口相结合,并用以保护该盒体内部的该 多个硅片,其特征在于:该前开式硅片盒的该门体的该内表面中,配置一凹陷区域以将该内表面分割成两个凸出平台并于该两凸出平台上各配置一限制件模块,通过所述限制件模块与所述多个硅片接触,其中,每一该凸出平台上的该限制件模块是由多个限制件排列所组成,每一该限制件具有一基部以及一与该基部的一端连接的支撑臂,且于该支撑臂的自由端上,再形成一顶持部,通过所述多个顶持部与所述多个硅片接触,其中于所述多个硅片与所述多个顶持部接触后,所述多个顶持部均位于该两凸出平台上方。
9.如权利要求8所述的前开式硅片盒,其特征在于:该两凸出平台中均配置一门闩装置。
10.一种配置有硅片限制件模块的前开式硅片盒,包括一盒体,该盒体内部设有多个插槽以容置多个硅片,且在该盒体的一侧面形成一开口可供该多个硅片的输入及输出,以及一门体,具有一外表面及一内表面,该门体是以该内表面与该盒体的该开口相结合,并用以保护该盒体内部的该多个硅片,其特征在于:该前开式硅片盒的该门体的该内表面中,配置一凹陷区域以将该内表面分割成两个凸出平台并于该两凸出平台上各固接一限制件模块,每一该凸出平台上的该限制件模块是经由一共同基部与该凸出平台固接且于该共同基部上连接多个间隔排列的支撑臂,其中每一该支撑臂向该凹陷区域弯折,且于该支撑臂的自由端上,再形成一向下弯曲的顶持部,通过该些顶持部与该些硅片接触,其中,于所述多个硅片与所述多个顶持部接触后,所述多个顶持部均位于该两凸出平台上方。
11.如权利要求10所述的前开式硅片盒,其特征在于:每一该顶持部上进一步形成一近似V形的导槽结构。
12.如权利要求10所述的前开式硅片盒,其特征在于:该顶持部与硅片接触的区域表面包覆一耐磨耗材。
13.如权利要求10所述的前开式硅片盒,其特征在于:该顶持部为一耐磨耗材。
14.如权利要求10所述的前开式硅片盒,其特征在于:该两凸出平台中均配置一门闩装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造