[发明专利]加热装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于半导体的晶片等的加热的加热装置。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，为了使用半导体制造装置在晶片上形成氧化 膜等而进行加热处理。作为在该半导体的制造工序中的用于进行晶片的加热处 理的加热装置的一个例子，有具备具有放置晶片的加热面的圆盘状的陶瓷基 体，并在该陶瓷基体中埋设电阻发热体的加热装置。该加热装置的电阻发热体 埋设在陶瓷基体的内部，通过对该电阻发热体供给电力，使上述加热面发热。

对于这种加热装置，要求能够把作为被加热材料的晶片稳定地维持在规定 的加热温度来进行加热。此外，要求能够在晶片的面内均匀地加热。为此，在 众所周知的加热装置中，有对电阻发热体的平面的布线下功夫而在与圆盘状的 陶瓷基体中的加热面相反一侧的背面作为温度调节部件安装块状的散热片的 技术。采用该块状的散热片的话，能够使热量从陶瓷基体迅速地逃离。因此， 能够抑制热加面中局部的温度上升，这有助于使整个加热面的面内对晶片均匀 进行加热。

具有该块状的散热片和陶瓷基体例如被硅树脂的粘接层接合的加热装置。 但是，硅树脂由于耐热性低，从而加热装置的使用温度受到限制。此外，硅树 脂的导热性差，因此，对维持均匀地加热晶片也有限制。

对此，具有块状的散热片和陶瓷基体用由铝合金的热压接形成的接合层接 合的加热装置(专利文献1：特开平9-249465号公报)。

然而，即使利用由该铝合金的热压接形成的接合层的加热装置，陶瓷基体 的加热面的面内的加热温度的均匀性也不一定充分。特别地，在向电阻发热体 的入热量变大，陶瓷基体由导热率低的材料做成的场合，加热的均匀性(均热 性)变差，因此，通过该加热装置加热的晶片的表面温度的均匀性也变差。由 于晶片的表面温度的均匀性变差，在晶片上施行的成膜或刻蚀的面内均匀性也 下降，半导体器件制造时的成品率下降。

发明内容

对此，本发明是有利于地解决上述问题的发明，本发明提供改善加热面中 的均热性，通过这样，能够在面内均匀地对安装在加热面上的被加热物进行加 热，并且在较大的温度范围可良好地维持均热性的加热装置。

为了达成上述目的，本发明的加热装置具有如下特征，具备：具有放置基 板的加热面且由陶瓷构成的基体；埋设在该基体内部的发热体；设置在该基体 的加热面和发热体之间且具有比基体的导热率更高的导热率的导热性部件；以 及，接近该基体的背面设置的温度调节部件，在该基体和温度调节部件之间具 有空隙，可与可调节该空隙的气体压力地导入气体的气体导入装置连接。

发明效果如下。

根据本发明的加热装置，可以在面内对安装在加热面上的被加热物均匀地 进行加热，并且，即使入热散热环境改变也可恒定地维持均热性。

附图说明

图1表示本发明的加热装置的一个实施例的剖视图。

图2表示包含本发明的实施例的加热装置的加热系统的一个例子的说明 图。

图中：

10-加热装置；11-陶瓷基体；12-电阻发热体；13-电介质层；14-导 热性部件；40-气体导入装置。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的加热装置的实施例进行说明。

图1是表示本发明的加热装置的一个实施例的剖视图。还有，以下所述的 附图中，为了使加热装置的各构成要素易于理解，各构成要素以与实际的加热 装置不同的尺寸比例来进行描述。因此，本发明的加热装置并不限定于附图所 示的加热装置的尺寸比例。

图1所示的本实施方式的加热装置10具有圆盘状的陶瓷基体11。该陶瓷 基体11由例如氧化铝(Al₂O₃)系陶瓷或氮化铝(AlN)系陶瓷做成。

具有该圆盘状的陶瓷基体11的一个平面部设置有用做被加热物的例如半 导体基板的晶片(未图示)，成为用于加热该晶片的加热面11a。在该陶瓷基 体11的内部，在靠近与加热面11a相反一侧即背面11b附近埋设有电阻发热 体12。