[发明专利]多栅极场效应晶体管结构及其制造方法

权利要求书

1、一种用于制造多栅极场效应晶体管结构(1)的方法，该方法包括以下步骤：

提供SOI型基板，该SOI型基板包括至少一个有源半导体层、一埋入绝缘体以及一载体基板(9)；以及

在所述绝缘体上从所述半导体层起形成鳍状结构(2)，所述鳍状结构(2)形成了用于该多栅极场效应晶体管结构(1)的晶体管沟道的区域，

其特征在于

所述绝缘体包括由介电常数比二氧化硅要高的材料制成的至少一个高k层。

2、根据权利要求1所述的方法，其中，从它那里形成该鳍状结构的所述半导体层包括由硅、应变硅、SiGe、SiC、Ge和/或A(III)-B(V)化合物制成的至少一个层。

3、根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述绝缘体包括至少一个氮化硅层(7)。

4、根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述绝缘体包括位于该SOI型基板的半导体层与该高k层之间的二氧化硅层(6)。

5、根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述绝缘体包括位于该SOI型基板的该载体基板(9)与该高k层之间的二氧化硅层(8)。

6、根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述绝缘体包括由下二氧化硅层(8)、氮化硅层(7)和上二氧化硅层(6)构成的层堆。

7、根据权利要求6所述的方法，其中，所述氮化硅层(7)被形成为10nm到200nm的厚度(t_Si3N4)。

8、根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述上二氧化硅层(6)被形成为2nm到20nm的厚度(t_SiO2Fin)，优选地为5nm到15nm的厚度(t_SiO2Fin)，更优选地为3nm到12nm的厚度(t_SiO2Fin)。

9、根据权利要求6到8中的一项所述的方法，其中，所述下二氧化硅层(8)被形成为大约10nm到100nm的厚度。

10、根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述形成鳍状结构(2)的步骤包括对该绝缘体进行过刻蚀。

11、一种具有鳍状结构(2)的多栅极场效应晶体管结构(1)，该鳍状结构用于在其中形成该多栅极场效应晶体管结构(1)的晶体管沟道，该鳍状结构(2)是在SOI型结构的埋入绝缘体上从所述SOI型结构的至少一个有源半导体层起形成的，

其特征在于

所述绝缘体包括由介电常数比二氧化硅要高的材料制成的至少一个高k层。

12、根据权利要求11所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述绝缘体包括至少一个氮化硅层(7)。

13、根据权利要求11或12所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述绝缘体包括位于该高k层与从该SOI型基板的半导体层起形成的该鳍状结构(2)的一部分之间的二氧化硅(6)。

14、根据权利要求11到13中的一项所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述绝缘体包括位于该SOI型基板的载体基板(9)与该高k层之间的二氧化硅层(8)。

15、根据权利要求11到14中的一项所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述绝缘体包括由下二氧化硅层(8)、氮化硅层(7)和上二氧化硅层(6)构成的层堆。

16、根据权利要求15所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述氮化硅层(7)的厚度(t_Si3N4)为10nm到200nm。

17、根据权利要求15或16所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述上二氧化硅层(6)为3nm到20nm的厚度，优选地为5nm到15nm的厚度(t_SiO2Fin)，更优选地为8nm到12nm的厚度(t_SiO2Fin)。

18、根据权利要求15到17中的一项所述的多栅极场效应晶体管结构，其中，所述下二氧化硅层(8)的厚度为大约10nm到100nm。