[发明专利]掩膜版的显影方法

说明书

技术领域

本发明关于掩膜版制作技术，尤其涉及一种掩膜版的显影方法。

背景技术

随着集成电路制造工艺的飞速发展，45和32nm技术节点已成为近两年人们谈论的热点，作为集成电路制造工艺中最关键的光刻工艺首当其冲成为热点中的焦点。浸入式光刻(Immersion)、两次曝光技术(Double Patterning)、超紫外光刻(EUV)获得广泛的应用，而掩膜版制作技术是光刻工艺三要素之一。掩膜版如同投影用的电影胶片的底片一样，它的技术水平直接影响着光刻技术的发展。随着工艺节点的不断提升，掩膜版的制造成本也呈直线攀升。

在掩膜版制作过程中，显影是非常关键的一道工序，即通过显影工序，将掩膜版上通过曝光机曝光后的图形成型，并能精确控制图形线条的精度。

现有技术中一般通过自动化设备进行显影处理。但掩膜版的自动化显影、蚀刻设备属于特种化工设备，价格昂贵，且受到夹具限制，较难适合各种尺寸的生产。因此，对于专业掩膜版生产商来说，需要一种简易可行的显影处理方法。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种操作简易、成本低的掩膜版的显影方法。

一种掩膜版的显影方法，其包括以下步骤：

将显影液加入药液槽中，并加热药液槽中的显影液使其保持在恒定温度；

将曝光好的掩膜版放入药液槽内，保持掩膜版在药液槽内液面以下；

使掩膜版在液面以下移动，浸泡掩膜版于显影液中进行显影。

与现有技术相比，所述掩膜版的显影方法将掩膜版浸泡于恒温的药液槽显影液中，使掩膜版在显影液的液面以下移动，进行显影，整个显影过程操作简单易行，无需昂贵的自动化设备，由此大大降低工艺成本。而且，在显影过程中通过移动掩膜版，使显影过程中的掩膜版内的树脂能和显影液一直保持反应，能使显影图案线条精度达到所需的精度要求。

附图说明

图1是本发明实施例提供的掩膜版的显影方法流程图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，为本发明实施例的掩膜版的显影方法流程图，该显影方法包括以下步骤：

S01：将显影液加入药液槽中，并加热药液槽中的显影液使其保持在恒定温度；

S02：将曝光好的掩膜版放入药液槽内，保持掩膜版在药液槽内液面以下；

S03：使掩膜版在液面以下移动，浸泡掩膜版于显影液中进行显影。

在步骤S01中，显影液采用四甲基氢氧化氨(Tetramethyl AmmoniumHydroxide，简称为TMAH)，分子式为(CH₃)₄NOH。TMAH的质量浓度约为25-30％，每次显影时使用新鲜的显影液。而且在进行本步骤之前，先用去离子水清洗聚氯乙烯制作的化学药液槽，该药液槽可以是一个恒温加热槽，即具有加热恒温功能；开启药液槽的加热功能，将药液槽加热并保持在恒温，其温度设定在22-25℃；然后将TMAH加入药液槽内温热，根据药液槽的大小，需保证显影液的深度约为8-15cm左右，等待显影液温热约30分钟后，具体时间根据显影液的体积而定，使显影液维持在设定温度，即22-25℃。

在准备好显影液后，进行步骤S02，即将曝光好的掩膜版先用一边例滑入药液槽内，同时保持掩膜版水平浸泡在液面以下5-8cm的深度。然后使掩膜版保持5-8cm的浸泡深度，同时显影过程中保持约3-5mm/s左右的速度水平左右移动掩膜版，以消除在显影过程中产生的气泡现象。根据曝光量的不同，浸泡显影时间为50-70秒。

在整个显影操作过程各个步骤中，都可以通过手工操作完成，例如，通过手持掩膜版，将其一边侧先滑入药液槽内，同时双手把持掩膜版，使其浸泡在液面以下5-8cm的深度，同时用手左右来回移动掩膜版，使显影过程中的掩膜版能和显影液一直保持反应，并且可选择较大的药液槽，以针对大面积的掩膜版，如大面积石英铬版进行显影。本实施例能达到在20英寸×24英寸尺寸以内的各种掩膜版尺寸面积内，显影图案线条精度达到0.5微米精度的要求。