[发明专利]FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法有效
申请号: | 200810217118.4 | 申请日: | 2008-10-28 |
公开(公告)号: | CN101393386A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 熊启龙 | 申请(专利权)人: | 清溢精密光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00;G06F17/50 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518057广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | fpd 掩膜版 制作 设备 reticle 方法 | ||
1.一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,包括以下步骤:
(1)将Reticle掩膜板设计的图形通过计算机辅助处理转化成Reticle掩膜版曝光设备识别的电子数据文件;
(2)通过Reticle掩膜版曝光设备将步骤(1)取得的电子数据文件在Reticle掩膜板原料上进行激光直写光刻操作;
(3)将Reticle掩膜板原料进行显影处理;
(4)将Reticle掩膜板原料进行蚀刻处理;
(5)将Reticle掩膜板从Reticle掩膜板原料上剥离并对其清洗;
(6)将Reticle掩膜板保护膜贴合在Reticle掩膜板的表面上。
2.如权利要求1所述的一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,其特征在于:所述步骤(2)中Reticle掩膜版曝光设备的曝光能量参数为4000至5000,所述步骤(3)中显影工艺的时间为45秒至80秒,所述步骤(4)蚀刻工艺时间为45秒至80秒。
3.如权利要求1或2所述的一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,其特征在于:步骤(5)和步骤(6)之间还包括以下步骤:
A、测量从Reticle掩膜板原料上剥离后的Reticle掩膜板;
B、对比步骤(1)所述的Reticle掩膜板设计的图形检查Reticle掩膜板的缺陷,如果Reticle掩膜板有缺陷对缺陷进行修补处理;
C、清洗Reticle掩膜板。
4.如权利要求3所述的一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,其特征在于:所述步骤A的测量工艺操作中使用10倍至100倍的显微镜。
5.如权利要求1或2所述的一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,其特征在于:所述Reticle掩膜版为IC bumping用Reticle掩膜版。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备