[发明专利]FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法有效
申请号: | 200810217118.4 | 申请日: | 2008-10-28 |
公开(公告)号: | CN101393386A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 熊启龙 | 申请(专利权)人: | 清溢精密光电(深圳)有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00;G06F17/50 |
代理公司: | 深圳中一专利商标事务所 | 代理人: | 张全文 |
地址: | 518057广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | fpd 掩膜版 制作 设备 reticle 方法 | ||
技术领域
本发明属于Reticle掩膜版制作方法领域,尤其涉及一种用FPD掩膜版制作设备制作IC bumping用Reticle掩膜版的方法。
背景技术
IC bumping用Reticle掩膜版是随IC制造技术发展而产生的,IC bumping用Reticle掩膜版是由在合成石英掩膜原料上光刻图形,然后在贴合掩膜版保护膜(Pellicle膜)制成,其主要应用于0.5μm以下IC制造工艺。
IC bumping用Reticle掩膜版的主要技术指标如下:
1、原材料性能
a.铬膜厚度:100nm±10%
b.光学密度(OD):3.0±0.3(波长450nm),反射率:10%±10%(波长436nm)
c.基版平整度在5μm以内
2、掩膜图形技术指标
a.图形处理技术,主要是GDSII文件格式的处理和按照Code39编码规则的条码
b.图形精度控制在±0.25μm
3、光罩护膜(Pellicle膜)贴合精度:±0.5mm
4、缺陷指标:关键区域要求缺陷<1.5μm
近年来IC封装技术CSP BUMP(Chip Size Packaging)工序中也开始采用Reticle掩膜版技术。这类产品外形尺寸一般为5"~7",其掩膜图形精度要求高,相当于1.0μm IC制造技术。
由于IC bumping用Reticle掩膜版精度要求比较高,需要IC掩膜版制版设备来制作,如用如电子束E-BEAM曝光机。IC掩膜版制版设备是一种精度非常高的掩膜板制作设备,其精度一般能精确到几纳米,能满足由于Reticle掩膜版的需要。但是,使用IC掩膜版制版设备制作IC bumping用Reticle掩膜版有以下两个缺点:1、IC掩膜版制版设备非常昂贵,一般价值几千万美元,且其对配套设施、环境等要求非常苛刻,因此需要非常大的资金投入;2、使用IC掩膜版制版设备制作IC bumping用Reticle掩膜版的周期较长,一般要48小时左右,不利于IC bumping用Reticle掩膜版快速交货的市场要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,特别是制作IC bumping用的Reticle掩膜版的方法,旨在解决用IC掩膜版制版设备制作IC bumping用Reticle掩膜版带来的资金投入大,制作周期长的问题。
本发明是这样实现的,一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,包括以下步骤:(1)将Reticle掩膜板设计的图形通过计算机辅助处理转化成Reticle掩膜版曝光设备识别的电子数据文件;(2)通过Reticle掩膜版曝光设备将步骤(1)取得的电子数据文件在Reticle掩膜板原料上进行激光直写光刻操作;(3)将Reticle掩膜板原料进行显影处理;(4)将Reticle掩膜板原料进行蚀刻处理;(5)将Reticle掩膜板从Reticle掩膜板原料上剥离并对其清洗;(6)将Reticle掩膜板保护膜贴合在Reticle掩膜板的表面上。
由于采取以上技术方案,利用精度比IC掩膜版制版设备低的FPD掩膜版制作设备也能制作出精度要求高的IC bumping用Reticle掩膜板,FPD掩膜版制作设备的价格比IC掩膜版制版设备低,生产IC bumping用Reticle掩膜板的周期比IC掩膜版制版设备的短,利用FPD掩膜版制作设备生产IC bumping用Reticle掩膜板的周期为10小时左右,比IC掩膜版制版设备生产IC bumping用Reticle掩膜板需要48小时左右周期明显缩短,所以利用FPD掩膜版制作设备制作IC bumping用Reticle掩膜板,投入较低,生产周期较短,能大量节约生产成本,显著提高生产效率。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本发明一种用FPD掩膜版制作设备制作Reticle掩膜版的方法,在本实施例中是用FPD掩膜版制作设备制作IC bumping用Reticle掩膜版,所述FPD掩膜版制作设备为Micronic MP80或HIMT MW800,本方法包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清溢精密光电(深圳)有限公司,未经清溢精密光电(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810217118.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种燃气温度控制阀
- 下一篇:箱式智能双电源转换开关
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备