[发明专利]一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置

权利要求书

1、一种薄膜太阳能电池芯片修复方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

在第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的电压，其中第一电极层为直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的电极层；

持续施加电压，并检测回路中的电流值；当检测电流值之小于阈值时，输出合格警示信号；

当检测电流值大于阈值时，输出不合格警示信号并继续施加电压直至检测电流值小于阈值。

2、如权利要求1所述的薄膜太阳能电池芯片修复方法，其特征在于，所述施加的预定电压为直流电压。

3、如权利要求1所述的薄膜太阳能电池芯片修复方法，其特征在于，所述施加的预定电压为交流电压。

4、一种薄膜太阳能电池芯片修复装置，其特征在于，所述装置包括：

电源；

与所述电源正极连接的可导电的第一压头，所述第一压头带有一个或多个探针，修复时与第一电极层上的电极块接触；

与所述电源负极连接的可导电的第二压头，所述第二压头带有一个或多个探针，修复时与第一电极层上的电极块接触；

在修复时所述电源通过所述第一压头的探针与所述第二压头的探针在第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的电压；所述第一电极层为直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的电极层；一与所述电源连接的检测单元，用于检测回路中的电流值，当检测电流值小于阈值时，输出合格警示信号；当检测电流值大于阈值时，输出不合格警示信号。

5、如权利要求4所述的薄膜太阳能电池芯片修复装置，其特征在于，所述装置还包括一与所述电源连接的开关。

6、如权利要求4所述的薄膜太阳能电池芯片修复装置，其特征在于，所述电源为直流电源。

7、如权利要求4所述的薄膜太阳能电池芯片修复装置，其特征在于，所述电源为交流电源。