[发明专利]一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池领域，尤其涉及一种薄膜太阳能电池芯片修复方法及装置。

背景技术

随着现代工业的高速发展、技术快速的更新换代以及对能源的需求，现在能源结构正在发生着根本性的变革。传统的能源：煤炭、石油、天然气的使用量将在2020年-2040年到达高峰，而在2050年后将会逐渐枯竭。可再生能源(主要是太阳能)等替代能源从2000年开始迅猛发展，到2050年使用量将达到高峰。传统太阳能电池是使用单晶硅或多晶硅薄片，其中硅材料应用较多，浪费严重，硅元素提纯工艺复杂且成本太高。薄膜太阳能电池使用非晶硅或其他材料，硅元素量使用很少或不使用硅材料，所以基本无原料瓶颈，尤其是非晶硅薄膜太阳能电池，成本低且工艺成熟，所以发展很快，成为目前薄膜太阳能电池最成熟的产品之一。

如图1所示，非晶硅薄膜太阳能电池是在低成本基板1(主要是玻璃)上沉积、溅射薄膜而成，这种非晶硅薄膜太阳能电池在基板1上共有三层：第一电极层2、非晶硅层(a-Si)3和后电极层4。非晶硅薄膜太阳能电池芯片的刻划是通过激光来刻划的，激光刻划是根据这种非晶硅薄膜太阳能电池的制作工艺过程，分别在不同的工艺时段选用不同波长的激光设备进行刻划，由于非晶硅薄膜太阳能电池共有三层，所以需要进行三次刻划才能完成整个制作过程。

图2A为在第一次刻划完成后第一电极层2的平面刻划示意图，图2B为在第一次刻划完成后基板1和第一电极层2的截面结构示意图，其中P21、P22、P2(n-1)、P2n分别为第一电极层2中的刻划线，第一电极层2中的刻划线可能会有没完全刻断的现象，如果没有及时发现而流入生产工序中，则会造成次品或废品而影响良品率，既降低了生产效率又造成浪费。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种薄膜太阳能电池芯片修复方法，旨在解决在薄膜太阳能电池芯片制造过程中，由于形成于基板上的电极层刻划不足而影响良品率的问题。

本发明实施例是这样实现的，一种薄膜太阳能电池芯片修复方法，所述方法包括以下步骤：

在第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的电压，其中第一电极层为直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的电极层；

持续施加电压，并检测回路中的电流值；

当检测电流值之小于阈值时，输出合格警示信号；

当检测电流值大于阈值时，输出不合格警示信号并继续施加电压直至检测电流值小于阈值。

本发明实施例还提供了一种薄膜太阳能电池芯片修复装置，所述装置包括：

电源；

与所述电源正极连接的可导电的第一压头，所述第一压头带有一个或多个探针，与第一电极层上的电极块接触；

与所述电源负极连接的可导电的第二压头，所述第二压头带有一个或多个探针，与第一电极层上的电极块接触；

在修复时所述电源通过所述第一压头的探针与所述第二压头的探针在第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加预定的电压；所述第一电极层为形成于太阳能电池芯片的基板之上的电极层；

一与所述电源连接的检测单元，用于检测回路中的电流值，当检测电流值小于阈值时，输出合格警示信号；当检测电流值大于阈值时，输出不合格警示信号。

本发明实施例中，在直接形成于太阳能电池芯片的基板之上的第一电极层上一条或多条刻划线的两侧施加电压，由于在没有刻断或者没有完全刻断的地方形成短路，从而有较大的电流通过，短路之处击穿开路，达到修复的目的，有效地提高了良品率。

附图说明

图1是现有技术提供的非晶硅薄膜太阳能电池的结构示意图；

图2A是在第一次刻划完成后第一电极层的平面刻划示意图；

图2B是在第一次刻划完成后基板和第一电极层的截面结构示意图；

图3是本发明实施例提供的薄膜太阳能电池芯片修复方法的实现流程图；

图4A是本发明实施例提供的在一条或多条刻划线的两侧施加正向直流电压的示意图；

图4B是本发明实施例提供的在一条或多条刻划线的两侧施加反向直流电压的示意图；

图4C是本发明实施例提供的在一条或多条刻划线的两侧施加交流电压的示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。