[发明专利]电子超纯水的循环回用处理方法无效

专利信息
申请号: 200810217466.1 申请日: 2008-11-14
公开(公告)号: CN101423310A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 钱志刚 申请(专利权)人: 钱志刚
主分类号: C02F9/08 分类号: C02F9/08;C02F1/32;C02F1/72;C02F1/44;C02F1/42
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 代理人: 吕晓蕾
地址: 518053广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子 超纯水 循环 用处 方法
【说明书】:

技术领域:

发明涉及一种所述的电子超纯水的循环回用处理方法,它属于水处理技术,特别是电子工业用清洗水的处理。

背景技术:

在许多生产电子产品比如用于高科技产品的微电路线路板、大容量磁记录器件等高科技企业,需要大量使用到高纯水。在半导体电子产品生产的几乎每道加工工序中,需要将一些导电的或绝缘的材料层加到硅片的表面。在下一层加上之前,需用腐蚀性的化学药品酸蚀刻掉表面的一部分。因此,为保证彻底地漂洗和移除硅片表面的化学药物,需要使用亲水性高分子清洗剂进行清洗,再用大量的超纯水进行清洗。由于清洗所使用的高纯水是几乎不含任何杂质的达到国家电子I级水质的高纯水,并且半导体电子产品的生产和清洗过程一般都是在高洁净度的厂房内进行,因此清洗产生的废水中含量较高的杂质主要是亲水性高分子清洗剂,其含量约为50ppm,而微粒、可溶性无机盐等杂质含量很低,清洗水的电导率只有50μs/cm左右,总有机碳(TOC)含量10-20ppm。由于此清洗水含盐量低,对其进行回收处理循环利用不但能大量节约用水,而且相对于使用含杂质较高的普通市政自来水做原水制备电子I级水更能降低反渗透膜、超滤膜等设备的反洗频率,延长混床树脂的再生周期和超滤膜及反渗透膜的使用寿命,大量节约制造纯水过程中需要使用的各种药剂,是节省了大额的成本。

下表为“电子I级水”国家标准GB/T 11446.1-1997 EW-I级水的技术指标。

电子I级水水质标准

 

项目电阻率(25℃,MΩ·cm)18(95%时间),不低于17微粒(直径>1μm,粒/mL)<0.1细菌,个/mL<0.01TOC(ppb)<20SiO2(ppb)<2Na(ppb)<0.5Ni(ppb)<0.1K(ppb)<0.5Zn(ppb)<0.2Cu(ppb)<0.2Cl-(ppb)<1NO3-(ppb)<1PO43-(ppb)<1SO42-(ppb)<1

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