[发明专利]能量泄放电路、除颤设备和调压电路

权利要求书

1.一种能量泄放电路，包括能量泄放支路，所述能量泄放支路的一端耦合到用于存储能量的能量存储部件的正极，另一端耦合到地，其特征在于：所述能量泄放支路包括能量泄放部件和第一开关，所述第一开关与能量泄放部件串联，所述第一开关用于响应控制信号，在导通和断开状态之间切换，所述第一开关为快速型控制开关器件。

2.如权利要求1所述的能量泄放电路，其特征在于：所述快速型控制开关器件为半导体开关器件。

3.如权利要求2所述的能量泄放电路，其特征在于：所述半导体开关器件为半控型半导体开关器件或全控型半导体开关器件。

4.如权利要求1所述的能量泄放电路，其特征在于：所述能量泄放部件为电阻性器件。

5.如权利要求1至4中任一项所述的能量泄放电路，其特征在于：还包括驱动电路，所述驱动电路包括开关电路，所述开关电路响应驱动信号，输出具有与所述第一开关相匹配的驱动能力的控制信号至所述第一开关。

6.如权利要求5所述的能量泄放电路，其特征在于：所述驱动电路还包括为所述开关电路提供电源的供电模块。

7.如权利要求6所述的能量泄放电路，其特征在于：所述供电模块为供电电容或电池。

8.如权利要求6所述的能量泄放电路，其特征在于：所述供电电容的容量满足以下条件：所述供电模块对驱动电路的放电时间常数至少大于能量存储部件对能量泄放部件的放电时间常数的两倍。

9.如权利要求5所述的能量泄放电路，其特征在于：所述驱动电路包括第二开关、第三开关和第四开关，所述第四开关的控制端响应驱动信号，输出端耦合到第三开关的控制端，所述第三开关的输出端耦合到第二开关的控制端，所述第二开关的输出端耦合到第一开关。

10.如权利要求1所述的能量泄放电路，其特征在于：所述电路还包括电压检测电路和控制器，所述电压检测电路用于检测所述能量存储部件的剩余电压，并将检测结果输出到控制器，所述控制器用于根据检测结果和预设条件进行判断，并输出相应的控制信号。

11.一种除颤设备，包括用于存储能量的能量存储部件和能量泄放电路，所述能量泄放电路包括能量泄放支路，所述能量泄放支路的一端耦合到所述能量存储部件的正极，另一端耦合到地，其特征在于：所述能量泄放支路包括能量泄放部件和第一开关，所述第一开关与能量泄放部件串联，所述第一开关用于响应控制信号，在导通和断开状态之间切换，所述第一开关为快速型控制开关器件。

12.如权利要求11所述的除颤设备，其特征在于：所述半导体开关器件为半控型半导体开关器件或全控型半导体开关器件。

13.如权利要求11所述的除颤设备，其特征在于：所述能量存储部件为电容或电感，所述能量泄放部件为电阻。

14.如权利要求11至13中任一项所述的除颤设备，其特征在于：还包括驱动电路，所述驱动电路包括开关电路，所述开关电路响应驱动信号，输出具有与所述第一开关相匹配的驱动能力的控制信号至所述第一开关。

15.如权利要求14所述的除颤设备，其特征在于：所述驱动电路还包括为所述开关电路提供电源的供电模块。

16.如权利要求14所述的除颤设备，其特征在于：所述驱动电路包括第二开关、第三开关和第四开关，所述第二开关为P沟道MOSFET，第三开关和第四开关为N沟道MOSFET，所述第四开关的栅极响应驱动信号，第四开关的源极接地，第四开关的漏极耦合到第三开关的栅极，所述第三开关的漏极耦合到第二开关的栅极，所述第三开关的源极接地，所述第二开关的漏极耦合到第一开关，所述第二开关的源极、第三开关的栅极和第四开关的漏极还耦合到供电模块的正极。

17.如权利要求11所述的除颤设备，其特征在于：所述电路还包括电压检测电路和控制器，所述电压检测电路用于检测所述能量存储部件的剩余电压，并将检测结果输出到控制器，所述控制器用于根据检测结果和预设条件进行判断，并输出相应的控制信号。

18.一种调压电路，其特征在于：包括控制器、能量存储部件、能量泄放支路、第一开关和电压检测电路，所述能量泄放支路的一端耦合到所述能量存储部件的正极，另一端耦合到地，所述电压检测电路用于检测所述能量存储部件的剩余电压，并将检测结果输出到控制器，所述控制器用于根据检测结果和预设条件进行判断，并输出相应的控制信号，所述第一开关用于响应控制信号，在导通和断开状态之间切换，所述第一开关为快速型控制开关器件。