[发明专利]能量泄放电路、除颤设备和调压电路无效
申请号: | 200810217749.6 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101745179A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 邵安岑;安敏 | 申请(专利权)人: | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 |
主分类号: | A61N1/38 | 分类号: | A61N1/38 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 陈俊斌 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 能量 电路 设备 调压 | ||
【技术领域】
本发明涉及一种能量泄放电路及使用该能量泄放电路的除颤设备。
【背景技术】
除颤仪(或称为除颤设备)是一种广泛用于治疗心室纤颤的设备,除颤仪一般包含有至少一个能量储存装置,通常是电容。能量储存电容储存高压能量并以单相波或双相波的形式对患者释放能量,以达到除纤颤的目的。实际应用中,用以除颤治疗的能量往往只是能量储存装置所储存能量的一部分,而另一部分能量,也称为剩余能量必须通过其他方式进行泄放,对剩余能量泄放的电路称为能量泄放电路。
现有的一种能量泄放电路如图1。它采用的是常闭合状态的继电器与能量吸收电阻的串联。继电器闭合时能量储存电容能量经电阻和继电器泄放,继电器断开时,停止能量泄放。由于采用机械式继电器,继电器闭合进行能量泄放时,触点的闭合往往在高电压和大电流情况下闭合,因此带来较大的电磁干扰,严重者甚至会影响控制电路的正常工作。同时由于继电器的控制延时往往有几毫秒甚至10多毫秒,因此无法做到泄放电路的快速导通和停止。
【发明内容】
本发明要解决的主要问题是,提供一种能量泄放电路,减少开关切换时的延时和电磁干扰。
为实现上述目的,本发明提供一种能量泄放电路,包括能量泄放支路,所述能量泄放支路的一端耦合到用于存储能量的能量存储部件的正极,另一端耦合到地,所述能量泄放支路包括能量泄放部件和第一开关,所述第一开关与能量泄放部件串联,所述第一开关用于响应控制信号,在导通和断开状态之间切换,所述第一开关为快速型控制开关器件。
本发明还提供一种除颤设备,包括用于存储能量的能量存储部件和能量泄放电路,所述能量泄放电路包括能量泄放支路,所述能量泄放支路的一端耦合到所述能量存储部件的正极,另一端耦合到地,所述能量泄放支路包括能量泄放部件和第一开关,所述第一开关与能量泄放部件串联,所述第一开关用于响应控制信号,在导通和断开状态之间切换,所述第一开关为快速型控制开关器件。
本发明还提供一种调压电路,包括控制器、能量存储部件、能量泄放支路、第一开关和电压检测电路,所述能量泄放支路的一端耦合到所述能量存储部件的正极,另一端耦合到地,所述电压检测电路用于检测所述能量存储部件的剩余电压,并将检测结果输出到控制器,所述控制器用于根据检测结果和预设条件进行判断,并输出相应的控制信号,所述第一开关用于响应控制信号,在导通和断开状态之间切换,所述第一开关为快速型控制开关器件。
本发明的有益效果是:本发明采用快速型控制开关器件,开关延时小,电磁干扰也小,因此能量泄放和停止时不会由于开关器件的导通或关断而带来延时和严重的电磁干扰的问题。
【附图说明】
图1为一种能量泄放电路的示意图;
图2为本发明一种实施例的原理方框图;
图3为驱动电路一种实施例的电路图;
图4为本发明一种实施例的电路图;
图5为本发明另一种实施例的电路图;
图6为本发明又一种实施例的电路图;
图7为包括能量泄放电路的除颤仪的一种实施例电路图。
【具体实施方式】
本申请的特征及优点将通过实施例结合附图进行详细说明。
实施例一:
能量泄放电路包括能量泄放支路,能量泄放支路的一端耦合到用于存储能量的能量存储部件的正极,另一端耦合到地,所述能量存储部件的两端通常连接充电电路的两端,或所述能量存储部件的负极耦合到地,能量存储部件所存储的能量能够通过能量泄放支路泄放掉。能量泄放支路包括能量泄放部件和第一开关,所述第一开关与能量泄放部件串联。能量存储部件为容性器件或感性器件,能量泄放部件为阻性器件,本实施例中采用电容作为能量存储部件,采用电阻作为能量泄放部件来吸收储能电容泄放的能量。第一开关采用快速型控制开关器件,快速型控制开关器件可以为半导体开关器件,也可以是具有与半导体开关器件性能相近的其他类型开关器件,本实施例中采用半导体器件串联能量吸收电阻,串联后的支路一端连接电容的正极,另一端接地,电容的负极也接地。可以是能量吸收电阻与储能电容连接,也可以是第一开关与储能电容连接。所述第一开关响应控制信号,在导通和断开状态之间进行切换。当第一开关断开时,电容储能,当第一开关导通时,电容通过能量吸收电阻和第一开关构成回路,将能量泄放。
第一开关可以是IGBT、MOSFET、三极管或晶闸管等半导体器件。
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