[发明专利]大功率发光二极管及封装方法

权利要求书

1.一种大功率发光二极管，包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管芯片，所述导热支架的顶端具有凹腔，所述发光二极管芯片安装于所述凹腔底部，所述硅胶树脂光学透镜成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封，所述导热支架容置有正、负极引线，所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点，所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接，其特征在于：所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层，所述锡膏层将所述发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。

2.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于：还包括由荧光粉形成的荧光粉层，所述荧光粉层附着于所述导热支架的凹腔内，所述荧光粉呈不规则的多边形，所述荧光粉的直径为13μm～18μm。

3.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于：所述锡膏层厚度为0.1mm～0.12mm。

4.如权利要求1所述的大功率发光二极管，其特征在于：所述导热支架包括金属底座及塑胶主体，所述金属底座镶嵌于所述塑胶主体内，所述凹腔设于所述金属底座的顶端，所述正、负引线容置于所述塑胶主体内。

5.一种大功率发光二极管的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一清洁的导热支架，所述导热支架的顶端具有凹腔，所述导热支架贯穿有正、负极引线；

在所述导热支架的凹腔底部涂覆一层锡膏；

提供至少一个发光二极管芯片，所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点；

熔化所述锡膏并将所述发光二极管芯片熔接固定于所述锡膏层上；

将所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接；

在所述凹腔内用荧光粉喷涂一层荧光粉层；及

在所述导热支架上用硅胶树脂成型对凹腔密封的硅胶树脂光学透镜。

6.如果权利要求5所述的大功率发光二极管的封装方法，其特征在于：所述荧光粉呈不规则的多边形，所述荧光粉的直径为13μm～18μm。

7.如权利要求5所述的大功率发光二极管的封装方法，其特征在于：所述锡膏层厚度为0.1mm～0.12mm。

8.如权利要求5所述的大功率发光二极管的封装方法，其特征在于：所述导热支架包括金属底座及塑胶主体，所述金属底座镶嵌于所述塑胶主体内，所述凹腔设于所述金属底座顶端，所述正、负极引线容置于所述塑胶主体内。