[发明专利]大功率发光二极管及封装方法无效

专利信息
申请号: 200810219588.4 申请日: 2008-12-02
公开(公告)号: CN101414655A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 徐朝丰 申请(专利权)人: 东莞市邦臣光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 代理人: 张艳美;郝传鑫
地址: 523118广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 大功率 发光二极管 封装 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种发光二极管,尤其涉及一种大功率发光二极管及封装方法。

背景技术

能源缺乏问题已成为制约当今世界可持续发展的瓶颈,因此节能成了当今世界的重要课题。在照明领域,人们不断地寻求更加节能、环保、安全、使用寿命长的照明工具以取代传统的照明工具。采用发光二极管(LED)灯具作为照明工具取代传统的白炽灯是照明领域质的飞跃。但是由于现阶段发光二极管(LED)的散热效果差,致使芯片的结温大都处于95℃~150℃高温范围,并且在封装技术上还存在不同的技术差异,从而导致发光二极管的光效率低、光通量低及使用寿命短。

因此,急需一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优良导热能力的大功率发光二极管。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优良导热能力的大功率发光二极管。

本发明的另一目的在于提供一种光效高、光通量高、使用寿命长且具有优良导热能力的大功率发光二极管的封装方法。

为实现上述目的,本发明的技术方案为:提供一种大功率发光二极管,所述大功率发光二极管包括导热支架、硅胶树脂光学透镜及至少一个发光二极管芯片,所述导热支架的顶端具有凹腔,所述发光二极管芯片安装于所述凹腔底部,所述硅胶树脂光学透镜成型于所述导热支架上且对所述凹腔进行密封,所述导热支架容置有正、负极引线,所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点,所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接,其中,所述发光二极管芯片与凹腔底部之间涂有锡膏层,所述锡膏层将所述发光二极管芯片熔接在凹腔底部上。

较佳地,所述大功率发光二极管还包括由荧光粉形成的荧光粉层,所述荧光粉层附着于所述导热支架的凹腔内,所述荧光粉呈不规则的多边形,所述荧光粉的直径为13μm~18μm。直径为13μm~18μm的荧光粉发光效果好,折光率高,有利于发光二极管提高发光效率。

较佳地,所述锡膏层的厚度为0.1mm~0.12mm。厚度为0.1mm~0.12mm的锡膏层具有较高的导热系数,能使发光二极管芯片工作时所产生的热量通过锡膏层及时的传递到与外界接触的导热支架上,从而使热量较快的传导到外界,使得发光二极管芯片的结温始终处于较低温度范围内,提高了发光二极管的发光效率及光通量,并且还延长了发光二极管的使用寿命。

较佳地,所述硅胶树脂光学透镜为折光率大于1.5的硅胶树脂材质。折光率大于1.5的硅胶树脂制成的硅胶树脂光学透镜具有高导热性和高折光率,使得硅胶树脂光学透镜透不仅光通量大,而且导热能力强,在增强了本发明大功率发光二极管的光通量的同时还很好地起到散热的效果,可以及时地将发光二极管芯片工作所产生的热量及时的向外界传导,从而将发光二极管芯片的结温控制在较降的温度范围内,延长了发光二极管的使用寿命。

较佳地,所述导热支架包括金属底座及塑胶主体,所述金属底座镶嵌于所述塑胶主体内,所述凹腔设于所述金属底座顶端,所述正、负引线容置于所述塑胶主体容置有正、负极引线。所述金属底座具有良好的导热能力,能够及时的将内部的热量导出,从而提高了本发明大功率发光二极管的光效及使用寿命。

本发明大功率发光二极管的封装方法,包括如下步骤:提供一清洁的导热支架,所述导热支架的顶端具有凹腔,所述导热支架贯穿有正、负极引线;在所述导热支架的凹腔底部涂覆一层锡膏;提供至少一个发光二极管芯片,所述发光二极管芯片具有正、负极焊接点;熔化所述锡膏并将所述发光二极管芯片熔接固定于所述锡膏层上;将所述正、负极引线对应的与所述发光二极管芯片的正、负极焊接点焊接;在所述凹腔内用荧光粉喷涂一层荧光粉层;及,在所述导热支架上用硅胶树脂成型对凹腔密封的硅胶树脂光学透镜。

本发明与现有技术相比,由于本发明大功率发光二极管在发光二极管芯片与导热支架之间增加了具有高导热系数的锡膏层,能使发光二极管芯片工作时所产生的热量通过锡膏层及时的传递到于外界接触的导热支架上,从而使热量较快的传导到外界,使得发光二极管芯片的结温可由传统的95℃~150℃的高温范围降低到75℃~95℃的低温范围内,提高了发光二极管的发光效率及光通量,使本发明大功率发光二极管发光效率可达到100流明每瓦特以上、光通量可达到100流明以上,并且还延长了发光二极管的使用寿命。

附图说明

图1为本发明大功率发光二极管的结构示意图。

图2本发明大功率发光二极管的封装方法流程图。

具体实施方式

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