[发明专利]预加重装置和低压差分信号发射器

权利要求书

1.一种用于低压差分信号(LVDS)发射器的预加重装置，其特征在于，包括：

预加重脉冲信号发生单元(10)，其被配置成根据从外部源接收的串行数据信号生成预加重脉冲信号；以及

预加重电流输出单元(20)，其包括：

旁路单元(22)，其与LVDS驱动器(30)并联，其包括旁路开关(K)，被配置成响应于所述预加重脉冲信号而动作，当其动作时将施加于所述LVDS驱动器的附加电流旁路；

附加电流单元(24)，其包括构成通道的场效应管(S4和S5)，所述场效应管的栅极连接外部的控制信号，并被配置成响应于所述控制信号而导通所述附加电流至所述并联的旁路单元和LVDS驱动器。

2.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，所述场效应管为多个且并联，每个所述场效应管用于提供一部分所述附加电流。

3.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，所述场效应管为2个，其中的第一场效应管用于提供25％所述附加电流，第二场效应管用于提供50％所述附加电流，所述第一和第二场效应管一起导通时，提供75％所述附加电流。

4.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，每个所述场效应管的栅极连接第一开关(A)和第二开关(B)，所述第一开关的另一端连接源极，所述第二开关的另一端连接偏置电流。

5.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，还包括附加电流选择单元，用于产生所述控制信号。

6.根据权利要求3所述的预加重装置，其特征在于，还包括附加电流选择单元，用于产生所述控制信号，所述控制信号包括第一信号，用于使所述第一和第二场效应管均截止；所述控制信号包括第二信号，用于使所述第一场效应管导通而第二场效应管截止；所述控制信号包括第三信号，用于使所述第一场效应管截止而第二场效应管导通；所述控制信号包括第四信号，用于使所述第一和第二场效应管均导通。

7.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，所述预加重脉冲信号发生单元包括：

延迟器(D1、D2、D3、D4)，用于将所述串行数据信号延迟；

异或门(XOR)，用于将所述串行数据信号和所述延迟的串行数据信号进行异或运算，产生所述预加重脉冲信号。

8.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，所述预加重脉冲信号发生单元包括：

多个串联的延迟器(D1、D2、D3、D4)，用于将所述串行数据信号延迟；

复用器(MUX)，其输入端分别连接至每一级所述延迟器的输出端，其控制端输入选择信号；

异或门(XOR)，其输入端连接所述串行数据信号和所述复用器根据所述选择信号所选择的延迟器所输出端延迟的所述串行数据信号，用于进行异或运算，产生所述预加重脉冲信号。

9.根据权利要求1所述的预加重装置，其特征在于，所述预加重脉冲信号发生单元包括：

4个串联的延迟器(D1、D2、D3、D4)，用于将所述串行数据信号延迟；

复用器(MUX)，其输入端分别连接至每一级所述延迟器的输出端，其控制端输入二位的选择信号；

异或门(XOR)，其输入端连接所述串行数据信号和所述复用器根据所述选择信号所选择的延迟器所输出端延迟的所述串行数据信号，用于进行异或运算，产生所述预加重脉冲信号。

10.根据权利要求2所述的预加重装置，其特征在于，所述旁路单元包括多个并联的开关支路，每个所述开关支路均包括一对通过所述旁路开关级联的PMOS和NMOS场效应管，所述开关支路的数量和导电能力对应于所述附加电流单元中并联的所述场效应管的数量和提供所述附加电流的能力来设置，当所述旁路开关动作时，根据所述开关支路的导电能力，使数量对应于所述附加电流的所述开关支路导通，并使其他的所述开关支路截止。