[发明专利]在晶圆上制造栅极的方法

权利要求书

1.一种在晶圆上制造栅极的方法，其特征在于，在晶圆的栅氧化层上沉积作为栅极的多晶硅层之前，沉积掺杂的多晶硅层，该方法还包括：

图案化多晶硅层后，采用终点检测方法主刻蚀多晶硅层，去除没有被图案覆盖的多晶硅层；

对掺杂的多晶硅层进行过刻蚀，去除没有被图案覆盖的掺杂多晶硅层，得到栅极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对掺杂的多晶硅层进行过刻蚀时，还去除主刻蚀的残留物。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层厚度为沉积的多晶硅层厚度的百分之五到百分之十五。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层采用化学气相沉积工艺进行。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂的多晶硅层中掺杂的聚合物为磷P、氮N、砷As、锑Sb、铋Bi、硼B、铝Al、镓Ga、铟In或铊Tl中的一种或多种组合。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用终点检测方法主刻蚀多晶硅层，去除没有被图案覆盖的多晶硅层为：

采用终点检测方法通过检测刻蚀速率的变化、在刻蚀中去除的腐蚀产物类型或在刻蚀反应室中气体放电中活性反应剂的变化确定去除没有被图案覆盖的多晶硅层，完成主刻蚀。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用终点检测方法主刻蚀多晶硅层，去除没有被图案覆盖的多晶硅层的过程为：

采用终点检测方法中的光发射谱方式，在刻蚀反应室中对被激发的原子或分子所发出的不同光进行光发射谱分析，当检测到掺杂的多晶硅层中所掺杂的原子时，完成主刻蚀。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在得到栅极之前，该方法还包括：

进行灰化和全湿去除法去除所述图案。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在去除所述图案时，还包括：

去除过刻蚀残留的没有被图案覆盖的掺杂多晶硅层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积的掺杂的多晶硅层和多晶硅层厚度之和为所述栅极的高度。