[发明专利]宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种宽视角液晶显示器阵列基板，包括形成在基板上的栅线、公共电极线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述像素电极上还形成有至少一个诱导液晶形成多畴结构的竖井，所述至少一个竖井位于所述公共电极线之上。

2.根据权利要求1所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层，所述钝化层形成在源电极、漏电极和TFT沟道区域上，其上开设有使像素电极与漏电极连接的第一过孔和孔壁为坡度状以形成所述竖井的第二过孔。

3.根据权利要求2所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述第二过孔内的钝化层被完全刻蚀掉，所述像素电极覆盖住所述第二过孔，形成井底面积小、井口面积大的漏斗形的诱导液晶形成多畴结构的竖井。

4.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述竖井的横截面形状为正方形、矩形、多边形、圆形、椭圆形或条形。

5.根据权利要求1～3中任一权利要求所述的宽视角液晶显示器阵列基板，其特征在于，所述竖井的井壁与水平面的夹角为15°～85°。

6.一种宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层，通过构图工艺在所述钝化层上开设用于漏电极与像素电极连接的第一过孔和用于形成竖井的第二过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺在像素区域内形成包括像素电极的图形，并在所述第二过孔位置形成诱导液晶形成多畴结构的竖井。

7.根据权利要求6所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺在钝化层上开设包括第一过孔和至少一个第二过孔的图形，其中所述第一过孔位于漏电极位置，所述至少一个第二过孔位于公共电极线位置，所述第二过孔的孔壁为坡度状。

8.根据权利要求6所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2具体包括：在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层，采用普通掩模板通过构图工艺在钝化层上开设包括第一过孔的图形，所述第一过孔位于漏电极位置；再次采用普通掩模板通过构图工艺在钝化层上开设包括至少一个第二过孔的图形，所述至少一个第二过孔位于公共电极线位置，所述第二过孔的孔壁为坡度状。

9.根据权利要求6～8中任一权利要求所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所述第二过孔的横截面形状为正方形、矩形、多边形、圆形、椭圆形或条形。

10.根据权利要求6～8中任一权利要求所述的宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，其特征在于，所述第二过孔的孔壁与水平面的夹角为15°～85°。