[发明专利]宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，特别是一种宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器的市场迅速成长，应用领域不断扩展，特别是大尺寸液晶电视的应用，要求液晶显示器具有宽阔的视角范围。液晶显示器包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其间设置液晶。在电压作用下液晶偏转，通过控制电压大小可以控制液晶的偏转程度，从而实现调制透过率(显示灰度)的目的。

由于液晶的光学各向异性，液晶显示器存在屏幕视角过窄的缺陷，为此现有技术提出了多种显示模式以克服视角过窄缺陷，多种显示模式包括90°扭曲向列型液晶加补偿膜(Twisted Nematic+film，简称TN+film)模式、多畴垂直排列(Multi-domain Vertical Alignment，简称MVA)模式、像素电极图形化垂直排列(Patterned Vertical Alignment，简称PVA)模式、平面驱动模式(In-Plane Switching，简称IPS)模式以及利用边缘场的平面驱动(Fringe Field Switching，简称FFS)模式等。

虽然上述显示模式先后被提出并逐渐实现产业化，但实际使用表明，上述显示模式仍存在相应缺陷。TN+film模式对视角的改善十分有限，视角改善限制在水平140°、垂直100°的范围内，一般只应用于笔记本电脑和台式机监视器，不适于大尺寸液晶电视的应用；MVA模式需要在彩膜基板(彩色滤光片)一侧制造复杂的凸起结构，增加了制造成本；PVA模式需要将像素电极制作成复杂的狭缝结构，影响了光利用效率；而IPS模式和FFS模式要求工艺控制精度高，制造工艺难度大，且影响对比度。

发明内容

本发明的目的是提供一种宽视角液晶显示器阵列基板及其制造方法，具有对称的宽视角和高对比度特性，同时简化阵列基板结构和制造方法。

为了实现上述目的，本发明提供了一种宽视角液晶显示器阵列基板，包括形成在基板上的栅线、公共电极线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极上还形成有至少一个诱导液晶形成多畴结构的竖井，所述至少一个竖井位于所述公共电极线之上。

所述薄膜晶体管包括栅电极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层，所述钝化层形成在源电极、漏电极和TFT沟道区域上，其上开设有使像素电极与漏电极连接的第一过孔和孔壁为坡度状以形成所述竖井的第二过孔。

所述第二过孔内的钝化层被完全刻蚀掉，所述像素电极覆盖住所述第二过孔，形成井底面积小、井口面积大的漏斗形的诱导液晶形成多畴结构的竖井。

在上述技术方案基础上，所述竖井的横截面形状为正方形、矩形、多边形、圆形、椭圆形或条形。所述竖井的井壁与水平面的夹角为15°～85°。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种宽视角液晶显示器阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、公共电极线、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层，通过构图工艺在所述钝化层上开设用于漏电极与像素电极连接的第一过孔和用于形成竖井的第二过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺在像素区域内形成包括像素电极的图形，并在所述第二过孔位置形成诱导液晶形成多畴结构的竖井。

所述步骤2可以具体包括：在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺在钝化层上开设包括第一过孔和至少一个第二过孔的图形，其中所述第一过孔位于漏电极位置，所述至少一个第二过孔位于公共电极线位置，所述第二过孔的孔壁为坡度状。

所述步骤2也可以具体包括：在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层，采用普通掩模板通过构图工艺在钝化层上开设包括第一过孔的图形，所述第一过孔位于漏电极位置；再次采用普通掩模板通过构图工艺在钝化层上开设包括至少一个第二过孔的图形，所述至少一个第二过孔位于公共电极线位置，所述第二过孔的孔壁为坡度状。

在上述技术方案基础上，所述第二过孔的横截面形状为正方形、矩形、多边形、圆形、椭圆形或条形。所述第二过孔的孔壁与水平面的夹角为15°～85°。