[发明专利]具有双镶嵌结构的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种具有双镶嵌结构的半导体器件的形成方法，其特征在于， 包括步骤：

提供表面具有导电结构的衬底；

在所述衬底上形成第一介质层；

在所述第一介质层上形成通孔图形；

以所述通孔图形为掩膜进行第一刻蚀，以在所述第一介质层内形成 通孔开口；

检测所述通孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度；

在所述第一介质层上和所述通孔开口内形成第二介质层；

在所述第二介质层上形成沟槽图形；

以所述沟槽图形为掩膜进行第二刻蚀，以形成沟槽，且所述沟槽下 方至少有一个所述通孔开口；

去除所述第二介质层；

根据所述剩余厚度调整第三刻蚀的工艺条件，使第三刻蚀的刻蚀速 率小于第一刻蚀的刻蚀速率；

进行第三刻蚀，以去除所述通孔开口底部残留的所述第一介质层；

在所述通孔开口和沟槽内填充铜金属，形成双镶嵌结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于：在进行第一刻蚀 之前，还可以根据检测得到的至少一片在先衬底的所述剩余厚度对所述 第一刻蚀的工艺条件进行调整。

3.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，检测所述通 孔开口底部残留的所述第一介质层的剩余厚度，包括步骤：

检测所述衬底的监测区域上所述第一介质层的残留厚度；

根据所述残留厚度确定所述通孔开口底部残留的第一介质层的剩 余厚度。

4.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于，所述形成通 孔图形利用光刻胶实现，且在形成通孔之后，检测剩余厚度之前，还包 括步骤：

去除光刻胶。

5.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述工艺条 件包括刻蚀时间。

6.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述导电结 构由金属铜形成。

7.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述第一介 质层由至少一层介质材料形成。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于：所述第一介质层 由黑钻石材料形成。

9.如权利要求1或2所述的形成方法，其特征在于：所述第二介 质层利用旋涂方法形成。