[发明专利]埋栅太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：

A、在基片正面形成用于制作埋栅电极的沟槽；

B、在所述基片正面沉积减反射层；

C、在所述沟槽内填充自掺杂浆料，所述自掺杂浆料包括颗粒形态的Ag、液体形态的掺杂源和玻璃料；

D、将步骤C之后的基片进行加热烧结，形成所述埋栅电极。

2.根据权利要求1所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述基片为P型硅片，所述掺杂源为N型掺杂源；或者，所述基片为N型硅片，所述掺杂源为P型掺杂源。

3.根据权利要求2所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述N型掺杂源包括以下至少一种物质：P、As、Sb。

4.根据权利要求1所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述沟槽内填充自掺杂浆料的方法包括以下至少一种方法：丝网印刷、压印、沉积。

5.根据权利要求1所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述加热烧结的温度为845℃或845℃以上。

6.根据权利要求1所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤A之前或之后还包括：在所述基片正面进行浅掺杂；所述基片为P型硅片，所述浅掺杂为N型浅掺杂；或者，所述基片为N型硅片，所述浅掺杂为P型浅掺杂。

7.根据权利要求6所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述N型浅掺杂包括：将所述基片放入扩散炉中，通入POCl₃气体源，对所述基片正面进行浅掺杂扩散，扩散的方块电阻值为60～100Ω/□。

8.根据权利要求1所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述步骤A包括步骤：

A1、在所述基片的正、背两面以及侧面生长一层SiO₂薄膜；

A2、在所述基片的正面的SiO₂薄膜上，通过丝网印刷工艺印刷腐蚀剂浆料，将所述埋栅电极欲形成位置对应的SiO₂薄膜去掉；

A3、将步骤A2之后的基片浸入腐蚀溶液中，将没有SiO₂薄膜保护的部分基片腐蚀掉；

之后，将所述SiO₂薄膜去掉，形成所述沟槽。

9.根据权利要求8所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述SiO₂薄膜的厚度为0.7～1um。

10.根据权利要求8所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述腐蚀剂浆料包括浓度为10～27％的氟化氢铵。

11.根据权利要求8所述的埋栅太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述腐蚀溶液包括KOH、异丙醇和水，腐蚀温度为80～90℃。