[发明专利]浅沟槽隔离区的形成方法及NMOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200810226386.2 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101740460A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 nmos 晶体管 制造 | ||
1.一种浅沟槽隔离区的形成方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底；
对半导体衬底刻蚀形成沟槽；
在沟槽内填充绝缘物质；
进行退火，退火温度0～100度，时间为0～10分钟；
进行平坦化，露出半导体衬底。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在沟槽内填充绝缘物质 步骤包括：
形成覆盖沟槽侧壁和底面的沟槽衬垫氧化物层；
淀积填充氧化物层，直到沟槽被填充氧化物层覆盖。
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述淀积填充氧化物层 利用低压化学气相淀积。
4.一种NMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底；
对半导体衬底刻蚀形成沟槽；
在沟槽内填充绝缘物质；
在0～100度进行退火，退火时间为0～10分钟；
进行平坦化，露出半导体衬底，
在半导体衬底上形成栅极，在栅极两侧的半导体衬底中形成源极区和漏 极区。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，栅极的宽度小于或等于 65nm。
6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在沟槽内填充绝缘物质 步骤包括：
形成覆盖沟槽侧壁和底面的沟槽衬垫氧化物层；
淀积填充氧化物层，直到沟槽被填充氧化物层覆盖。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述淀积填充氧化物层 利用低压化学气相淀积。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
