[发明专利]等离子体处理设备及其基片载板

权利要求书

1.一种基片载板，用于等离子体处理设备，包括具有多个安置腔的载板本体，所述基片由所述安置腔中的支撑部件支撑；其特征在于，自所述载板本体的中心部位向外周部位，各所述安置腔中支撑部件的顶部所处的位置依次上升。

2.如权利要求1所述的基片载板，其特征在于，自所述载板本体的中心部位向外周部位，相邻的安置腔中支撑部件顶部到等离子体处理设备的气体分配装置的距离差相等。

3.如权利要求1所述的基片载板，其特征在于，自所述载板本体的中心部位向外周部位，相邻的安置腔中支撑部件顶部到等离子体处理设备的气体分配装置的距离差依次扩大。

4.如权利要求1至3任一项所述的基片载板，其特征在于，自所述载板本体的中心部位向外周部位，相邻的安置腔中支撑部件顶部到等离子体处理设备的气体分配装置的距离差，与所述基片载板的最大宽度的比的范围为0.01至0.04。

5.如权利要求1所述的基片载板，其特征在于，所述安置腔具体为开设于所述载板本体的顶部的凹槽，所述支撑部件具体为所述凹槽的底壁。

6.如权利要求5所述的基片载板，其特征在于，进一步包括位于所述载板本体下方的附加板体，两者相叠置；所述附加板体具有多个将其贯穿的通槽，所述通槽的侧壁具有横向沿伸的阻挡部件，以便将基片支撑于所述通槽中。

7.一种等离子体处理设备，包括位于其反应腔室顶部的气体分配装置，其特征在于，包括如权利要求1至3中任一项或者权利要求5所述的基片载板。

8.如权利要求7所述的等离子体处理设备，其特征在于，自所述气体分配装置的中心部位向外周部位，所述气体分配装置底部的出气口所处的位置依次降低。

9.一种等离子体处理设备，包括位于其反应腔室顶部的气体分配装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的基片载板；所述反应腔室的顶部和底部均设有驱动电极。

10.如权利要求9所述的等离子体处理设备，其特征在于，自所述气体分配装置的中心部位向外周部位，所述气体分配装置底部的出气口所处的位置依次降低。