[发明专利]等离子体处理设备及其基片载板有效

专利信息
申请号: 200810226608.0 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN101740448A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 林挺昌 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;H01L21/00;C23C16/458;C23C14/50;C23F4/00;H01J37/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 魏晓波;逯长明
地址: 100016 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 处理 设备 及其 基片载板
【说明书】:

技术领域

发明涉及微电子技术领域,特别是涉及一种用于等离子体处理设备的基片载板。本发明还涉及一种包括上述基片载板的等离子体处理设备。

背景技术

等离子体处理设备广泛应用于微电子技术领域。

请参考图1,图1为一种等离子体处理设备及其基片载板的结构示意图。

等离子体处理设备1通常包括壳体11,壳体11中具有反应腔室17,反应腔室17的顶部和底部分别设有进气通道14和排气通道15,用以向反应腔室17中输入和排出气体。自进气通道14进入的气体需要通过气体分配装置13并自气孔131中输出,以便能够在反应腔室17中尽可能均匀地分布。

工作时,基片载板12位于反应腔室17中,待处理的基片16(例如晶片或者具有相似加工原理的其他加工件)由基片载板12承载,并位于基片载板12的凹槽121内。通过干泵等真空获得装置(图中未示出)在反应腔室17中制造并维持接近真空的状态。在此状态下,向反应腔室17中输入适当的射频,以便激活通过气体分配装置13进入的气体,从而在基片16的表面产生并维持等离子体环境。由于具有强烈的刻蚀以及淀积能力,所述等离子体可以与基片16发生刻蚀或者淀积等物理化学反应,以获得所需要的刻蚀图形或者淀积层。上述物理化学反应的副产物由所述真空获得装置从反应腔室17中抽出。

由于气体是自进气通道14进入的,因此,在气体分配装置13的顶部,中心部位的气体浓度比外周部位高;经过气体分配装置13匀流之后,在反应腔室17的径向上气体浓度的差异可以显著缩小,但上述浓度的差异却难以完全消除。具体地说,反应腔室17中心部位气体的浓度,会略大于外周部位气体的浓度,即气体在反应腔室17径向上的浓度存在一定的差异。

随着基片16规格的不断加大以及特征尺寸的不断缩小,反应腔室17中气体浓度的差异越来越受到重视,因为气体分布的均匀程度直接影响着反应腔室17中工艺过程的均匀程度,而在工艺过程中尽可能实现较高的均匀程度正是本领域的技术人员长期追求的目标。

因此,如何进一步提高各基片表面气体分布的均匀程度,是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种用于等离子体处理设备的基片载板,能够提高各基片表面气体分布的均匀程度。本发明的另一目的是提供一种具有上述基片载板的等离子体处理设备。

为解决上述技术问题,本发明提供一种基片载板,用于等离子体处理设备,包括具有多个安置腔的载板本体,所述基片由所述安置腔中的支撑部件支撑;自所述载板本体的中心部位向外周部位,各所述安置腔中支撑部件的顶部所处的位置依次上升。

进一步,自所述载板本体的中心部位向外周部位,相邻的安置腔中支撑部件顶部到等离子体处理设备的气体分配装置的距离差相等。

进一步,自所述载板本体的中心部位向外周部位,相邻的安置腔中支撑部件顶部到等离子体处理设备的气体分配装置的距离差依次扩大。

进一步,自所述载板本体的中心部位向外周部位,相邻的安置腔中支撑部件顶部到等离子体处理设备的气体分配装置的距离差,与所述基片载板的最大宽度的比的范围为0.01至0.04。

进一步,所述安置腔具体为开设于所述载板本体的顶部的凹槽,所述支撑部件具体为所述凹槽的底壁。

进一步,所述基片载板进一步包括位于所述载板本体下方的附加板体,两者相叠置;所述附加板体具有多个将其贯穿的通槽,所述通槽的侧壁具有横向沿伸的阻挡部件,以便将基片支撑于所述通槽中。

本发明还提供一种等离子体处理设备,包括位于其反应腔室顶部的气体分配装置,以及上述任一项所述的基片载板。

进一步,自所述气体分配装置的中心部位向外周部位,所述气体分配装置底部的出气口所处的位置依次降低。

进一步,所述反应腔室的顶部和底部均设有驱动电极。

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