[发明专利]半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机有效
| 申请号： | 200810226688.X | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101740337A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 惠瑜;景玉鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;B08B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 二氧化碳 临界 清洗 | ||
1.一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其特征在于，包括：
支架(10)；
固定于支架(10)上的清洗室(1)和分离室(3)，且清洗室(1)与 分离室(3)在底部通过密封的二氧化碳出气管(12)连通；
固定于清洗室(1)底部的磁旋转装置(6)；
固定于磁旋转装置(6)之上的硅片支架(2)；
向清洗室(1)中通入二氧化碳的喷嘴(16)，二氧化碳通过喷嘴(16) 直接喷射到硅片支架(2)上的硅片上；
与喷嘴(16)连通的助溶剂和清洗剂存储腔(4)；
对清洗室(1)进行加热或制冷的温度控制系统(7)，该温度控制系 统(7)通过缠绕设置于清洗室(1)外壁的加热和制冷盘管(5)对清洗 室(1)进行加热或制冷；
通过密封管道和喷嘴(16)与清洗室(1)连通的二氧化碳循环系统 (8)，该二氧化碳循环系统(8)同时与分离室(3)通过密封管道连通； 以及
与分离室(3)底部连通的分离室废液排管(9)；
其中，所述磁旋转装置(6)包括清洗室底部的永磁体、轴承和清洗 室内部的转动磁体支架；电机带动永磁体旋转，清洗室内部的转动磁体支 架磁极与永磁体相反，产生转动力，在轴承的传动下，实现旋转。
2.根据权利要求1所述的半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其特 征在于，所述清洗室(1)进一步设置有压力传感器(13)和温度传感器 (14)。
3.根据权利要求1所述的半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其特 征在于，在清洗结束后，通过对所述清洗室(1)进行等温降压，使二氧 化碳超临界流体直接气化，实现超临界干燥。
4.根据权利要求1所述的半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其特 征在于，通过对所述分离室(3)减压，使助溶剂和清洗剂与二氧化碳分 离析出，并通过二氧化碳循环系统(8)实现二氧化碳的循环使用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
