[发明专利]轻掺杂漏极的形成方法和半导体器件

权利要求书

1.一种轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件区域和输入/输出器件区域，所述核心器件区域和输入/输出器件区域上具有栅介质层和位于栅介质层上的栅极，所述栅极的侧壁外具有第一侧墙；

在所述半导体衬底上形成掩膜层，以将所述核心器件区域覆盖，并露出所述输入/输出器件区域；

去除所述输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙；

去除所述覆盖核心器件区域的掩膜层；

采用离子注入法分别在所述核心器件区域和输入/输出器件区域中形成轻掺杂漏极，其中，所述核心器件区域上栅极的侧壁外的第一侧墙阻挡离子注入其下面的区域。

2.根据权利要求1所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，所述去除输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙采用湿法清洗。

3.根据权利要求2所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗采用酸洗法。

4.根据权利要求1所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙为氮化硅，则采用磷酸湿洗去除所述输入/输出器件区域上的栅极的侧壁外的第一侧墙。

5.根据权利要求1所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，第一侧墙采用化学淀积法形成，其包括氮化硅、氧化硅中的一种或它们的组合。

6.根据权利要求1所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，所述掩膜层为光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，所述采用离子注入法在所述核心器件区域和输入/输出器件区域中分别形成轻掺杂漏极之后，还包括进行退火处理。

8.根据权利要求7所述的轻掺杂漏极的形成方法，其特征在于，所述退火处理在形成核心器件区域的轻掺杂漏极和形成输入/输出器件区域的轻掺杂漏极之后分别各自进行，或者，所述退火处理在所述核心器件区域和输入/输出器件区域均形成轻掺杂漏极后统一进行。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括核心器件和输入/输出器件；

所述核心器件和输入/输出器件均具有栅介质层和位于栅介质层上的栅极，其特征在于，

所述核心器件和所述输入/输出器件中，仅在所述核心器件栅极的侧壁外具有第一侧墙，所述第一侧墙用于在形成轻掺杂漏极的过程中，阻挡离子注入其下面的区域。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述输入/输出器件的栅极侧壁外和所述核心器件的第一侧墙外还具有第二侧墙。

11.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一侧墙包括氮化硅。

12.根据权利要求9或10所述的半导体器件，其特征在于，所述第二侧墙包括氧化硅层、氮化硅层或它们的叠层。