[发明专利]提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法

权利要求书

1.提高多晶硅薄膜关键尺寸均匀度的方法，用于将晶圆置于反应腔中进行 多晶硅薄膜刻蚀，其特征在于，该方法包括：

对晶圆进行多晶硅薄膜刻蚀前，利用化学气相沉积的方法在反应腔侧壁上 生成SiO₂Cl₄；

所述对晶圆进行多晶硅薄膜刻蚀的方法包括：

所述SiO₂Cl₄与用于刻蚀的HBr和HeO₂的混合等离子体反应释放出氧原 子，所述氧原子将晶圆侧面边缘的硅氧化生成二氧化硅，所述混合等离子体在 竖直方向对晶圆进行刻蚀；

所述在反应腔侧壁上生成SiO₂Cl₄的方法包括：

利用SiCl₄与O₂进行反应得到所述SiO₂Cl₄并沉积到反应腔侧壁上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对该晶圆进行多晶硅薄 膜刻蚀之后，该方法进一步包括：

对所述晶圆的多晶硅薄膜刻蚀结束后，移除所述晶圆，然后清除反应腔侧 壁上的所述SiO₂Cl₄与刻蚀气体反应的生成物以及反应腔侧壁上残留的 SiO₂Cl₄。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述清除反应腔侧壁上的所 述SiO₂Cl₄与刻蚀气体反应的生成物以及反应腔侧壁上残留的SiO₂Cl₄的方法包 括：

通入氟化氮和氦气的混和气体进行干法刻蚀，将所述SiO₂Cl₄与刻蚀气体反 应的生成物以及反应腔侧壁上残留的SiO₂Cl₄清除。