[发明专利]扁蓿豆发芽方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200810227782.7 申请日: 2008-12-03
公开(公告)号: CN101411259B 公开(公告)日: 2011-05-18
发明(设计)人: 孙彦;韩建国;杨青川;毛培胜;王赟文 申请(专利权)人: 中国农业大学
主分类号: A01C1/02 分类号: A01C1/02
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;任凤华
地址: 100094 北京市海淀区圆明*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 扁蓿豆 发芽 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种扁蓿豆发芽方法,包括如下步骤:将贮藏8年以上的扁蓿豆进行如下1)或2)的处理,或将贮藏2至7年的扁蓿豆进行如下3)至5)中的任一处理,或将当年扁蓿豆进行如下6)至8)中的任一处理:

1)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,每天黑暗培养16-12小时,培养温度为20℃或25℃;

2)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,所述光照培养的温度为25℃;每天黑暗培养16-12小时,所述黑暗培养的温度为15℃;

3)将扁蓿豆预冷后置于用质量百分比为0.2%的KNO3浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,所述光照培养的温度为30℃;每天黑暗培养16-12小时,所述黑暗培养的温度为20℃;

4)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,每天黑暗培养16-12小时,培养温度为25℃;

5)将扁蓿豆预冷后置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,所述光照培养的温度为25℃;每天黑暗培养16-12小时,所述黑暗培养的温度为15℃;

6)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,所述光照培养的温度为30℃;每天黑暗培养16-12小时,所述黑暗培养的温度为20℃;

7)将扁蓿豆置于用质量百分比为0.2%的KNO3浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,每天黑暗培养16-12小时,培养温度为25℃;

8)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上:每天光照培养8-12小时,每天黑暗培养16-12小时,培养温度为20℃或25℃;

所述预冷为将种子置于5-10℃放置7-10天。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述1)至8)的任一处理中,每天光照培养8小时,每天黑暗培养16小时。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述1)至8)的任一处理中,种子培养21天。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:所述预冷为将种子5-10℃放置7天。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于:所述贮藏8年以上的扁蓿豆为贮藏13年的扁蓿豆;所述贮藏2至7年的扁蓿豆为贮藏4年的扁蓿豆。

6.权利要求5所述方法在种子质量检测中的应用。

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