[发明专利]扁蓿豆发芽方法及其应用

说明书

技术领域

本发明涉及一种扁蓿豆发芽方法及其应用。

背景技术

扁蓿豆(Medicago ruthenica)，属于豆科扁蓿豆属，在我国新疆、甘肃、青海、内蒙、东北、华北均有分布，在黑龙江多见于羊草杂类草草原。扁蓿豆具有：抗寒、耐旱和耐瘠薄、适应性强、生育期较长、繁殖能力和生产性能良好等特点，可作为人工草地混播草种，也可作为水土保持植物，是较有经济利用价值的豆科牧草，也是牧草抗性育种中较好的原始材料。

发芽率是衡量种子质量的重要指标，也是种子分级的重要依据。了解种子的标准发芽方法，可为种子质量检验和生产实践提供理论依据，同时也为安全贮藏、调运、收购种子等提供科学依据。

牧草与草坪草种子质量检验，是运用科学的方法对生产上使用的牧草与草坪草种子的质量进行检测、鉴定和分析，确定其使用价值。种子质量检验贯穿于牧草与草坪草种子生产、加工、贮藏、运输、销售和使用的全过程。随着我国进出口业务的不断扩大，尤其我国加入WTO以后，种子检验越来越受到人们的关注。近些年我国当地草种发展迅猛，越来越多的野生自然资源被开发利用，在市场上流通，为使生产者、使用者、销售者了解上市交易中的种子质量状况，保证他们的利益，种子必需进行检验，但不少野生资源种子在国内外均没有检验规程。

发明内容

本发明的目的是提供一种扁蓿豆发芽方法及其应用。

本发明提供的扁蓿豆发芽方法，包括如下步骤：将贮藏8年以上的扁蓿豆进行如下1)或2)的处理，或将贮藏2至7年扁蓿豆进行如下3)至5)中的任一处理，或将当年扁蓿豆进行如下6)至8)中的任一处理：

1)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为20℃或25℃；

2)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为25℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为15℃；

3)将扁蓿豆预冷后置于用0.2％KNO₃(质量百分比)浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为30℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为20℃；

4)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为25℃；

5)将扁蓿豆预冷后置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为25℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为15℃；

6)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，所述光照培养的温度为30℃；每天黑暗培养16-12小时，所述黑暗培养的温度为20℃；

7)将扁蓿豆置于用0.2％KNO₃(质量百分比)浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为25℃；

8)将扁蓿豆置于用水浸润的吸水基质中在如下条件培养10天以上：每天光照培养8-12小时，每天黑暗培养16-12小时，培养温度为20℃或25℃；

所述预冷为将种子置于5-10℃放置7-10天。

所述1)至8)的任一处理中，具体可为每天光照培养8小时，每天黑暗培养16小时。

所述1)至8)的任一处理中，种子具体可培养21天。

所述预冷具体可为将种子5-10℃放置7天。

所述贮藏8年以上的扁蓿豆具体可为贮藏13年的扁蓿豆；所述贮藏2至7年的扁蓿豆具体可为贮藏4年的扁蓿豆。

所述方法可应用于种子质量检测中。种子质量检测时，可采用本发明的发芽方法促使扁蓿豆种子发芽，然后采用任何现有的种子评价标准对其质量进行评价。

本发明公开了一种扁蓿豆发芽方法及其应用。本发明公开的方法可应用于扁蓿豆种子的发芽处理，提高种子的发芽率。本发明公开的方法还可应用于扁蓿豆种子质量检验。本发明对于我国牧草与草坪草种子质量检验以及对保障种子经营市场中人们了解种子质量状况，保证人们利益均具有重要的理论及实际意义。

以下的实施例便于更好地理解本发明，但并不限定本发明。

具体实施方式

下述实施例中的实验方法，如无特殊说明，均为常规方法。

以下实施例中，采用纸上(TP)发芽法进行发芽试验，发芽床为纸床。