[发明专利]可嵌入式光耦合器阵列及在制备混合集成电路中的应用无效
申请号: | 200810231664.3 | 申请日: | 2008-10-09 |
公开(公告)号: | CN101369611A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 郭清军;王俊峰;王凤生 | 申请(专利权)人: | 中国航天时代电子公司第七七一研究所 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12;H01L31/18;H01L25/16;H01L21/50 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 朱海临 |
地址: | 710054*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 耦合器 阵列 制备 混合 集成电路 中的 应用 | ||
1.一种可嵌入式光耦合器阵列,包括分别设置在上、下基板相对面的发光芯片和光敏芯片组成的光耦,光耦周围用支架框隔离,构成光耦合器单元,其特征在于,所述光耦合器单元至少有四个,并沿平面纵横布置构成矩形阵列;相邻光耦合器单元间共用一个支架框隔离;下基板为单独的基板或为集成电路基板的一部分。
2.如权利要求1所述可嵌入式光耦合器阵列,其特征在于,所述支架框与下基板连为一体,即在下基板制成带深腔的基板,光敏芯片设置在腔体底面。
3.如权利要求1所述可嵌入式光耦合器阵列在制备混合集成电路中的应用,其特征在于,包括下述步骤:
(1)以单独的平面基板或集成电路基板的一部分作为下基板,其上面装贴至少四个光敏芯片,并沿平面纵横排列构成矩形阵列;
(2)制作一个空腔数量与光敏芯片数量一样多的支架框将每个光敏芯片周围隔离,相邻光敏芯片间共用一个支架框隔离;
(3)制作一个可覆盖支架框的上基板,其下面装贴至少四个发光芯片,使每个发光芯片都与下基板相应的光敏芯片相对,并将支架框空腔覆盖,使上、下基板相对面的发光芯片和光敏芯片组成光耦,并处于支架框构成的腔体内。
4.如权利要求3所述权利要求1的可嵌入式光耦合器阵列在制备混合集成电路中的应用,其特征在于,所述支架框采用陶瓷厚膜基板材料切割加工而成。
5.如权利要求3所述权利要求1的可嵌入式光耦合器阵列在制备混合集成电路中的应用,其特征在于,所述支架框采用金属材料或可伐合金板进行切割加工形成阵列框架,再进行表面绝缘处理。
6.如权利要求3所述权利要求1的可嵌入式光耦合器阵列在制备混合集成电路中的应用,其特征在于,所述支架框与下基板连为一体,即采用多层陶瓷基板直接制成带深腔的基板,光敏芯片设置在腔体底面。
7.如权利要求3所述权利要求1的可嵌入式光耦合器阵列在制备混合集成电路中的应用,其特征在于,所述上基板采用厚膜基片,双面印刷导带,正反面经过通孔互连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的