[发明专利]一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该 方法包括：

步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；

步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底 电极胶图形；

步骤3、在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；

步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶，形成底电极；

步骤5、沉积有机半导体薄膜，完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤1中所述导电基底是电阻率低的导电材料，用于作为有 机场效应管的栅极。

3.根据权利要求1所述的T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤1中所述在导电基底上生长绝缘介质薄膜是采用热氧化 生长的方法或化学气相沉积的方法实现的。

4.根据权利要求1所述的T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤3中所述底电极金属薄膜是通过电子束蒸发实现的。

5.根据权利要求1所述的T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤4中所述底电极是采用非平行排列的，进而导致沟道是 成T形的。

6.根据权利要求1所述的T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法， 其特征在于，步骤5中所述有机半导体薄膜的沉积采用真空热蒸镀的方法 实现。