[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器的制造方法，特别是一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法。 

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。为了有效地降低TFT-LCD的价格、提高成品率，TFT-LCD阵列基板的制造工艺逐步得到简化，从开始的七次构图(7mask)工艺已经发展到基于狭缝光刻技术的四次构图(4mask)工艺。 

现有技术的四次构图工艺具体包括：采用普通掩模板通过构图工艺形成栅线、栅电极和公共电极线图形；采用半色调或灰色调掩模板掩模版通过构图工艺形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道图形；采用普通掩模板通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔图形；采用普通掩模板通过构图工艺形成像素电极，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。 

由于每次构图工艺均需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，而每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，因此在TFT-LCD阵列基板制作过程中，所用掩模板的数量越少，生产时间越少，生产效率越高，生产成本就越低。 

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，采用三次构图工艺实现阵列基板的制造，缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。

为了实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制造方法，包括： 

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和公共电极线的图形； 

步骤2、在完成步骤1的基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形； 

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，涂覆光刻胶后，通过曝光、显影和刻蚀工艺在像素区域内形成钝化层凹坑，所述钝化层凹坑中暴露出部分漏电极； 

步骤4、在完成步骤3的基板上，利用等离子体固化光刻胶，沉积透明导电薄膜，利用带膜剥离工艺去除光刻胶以及覆盖在光刻胶上的透明导电薄膜，在所述钝化层凹坑内形成像素电极图形，所述像素电极与漏电极直接连接。 

所述步骤2包括： 

步骤21、在完成步骤1的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积方法依次沉积栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层； 

步骤22、在完成步骤21的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法沉积源漏金属薄膜； 

步骤23、在完成步骤22的基板上涂覆一层光刻胶； 

步骤24、采用半色调或灰色调掩模板曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶部分去除区域和光刻胶完全保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极图形所在区域，光刻胶部分去除区域对应于TFT沟道区域图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶 部分去除区域的光刻胶厚度变薄，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，暴露出该区域的源漏金属薄膜； 

步骤25、采用湿法刻蚀工艺进行第一次刻蚀，依次刻蚀掉光刻胶完全去除区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体层和半导体层，形成数据线、源电极和漏电极图形； 

步骤26、采用灰化工艺，完全去除光刻胶部分去除区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄膜； 

步骤27、采用干法刻蚀工艺进行第二次刻蚀，完全刻蚀掉光刻胶部分去除区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体层，并刻蚀掉部分厚度的半导体层，使该区域露出半导体层，形成TFT沟道区域图形； 

步骤28、剥离剩余的光刻胶。 

所述步骤3包括： 

步骤31、在完成步骤2的基板上，采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积钝化层； 

步骤32、在完成步骤31的基板上涂覆一层光刻胶； 

步骤33、采用普通掩模板通过曝光、显影和干法刻蚀工艺，在像素区域内形成钝化层凹坑，钝化层凹坑内的钝化层被完全刻蚀掉，且钝化层凹坑中暴露出部分漏电极。 

所述步骤4包括： 

步骤41、利用等离子体固化光刻胶；