[发明专利]适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法

权利要求书

1.一种适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法，所述选择性 隐埋集电区结构包括在重掺杂衬底或集电区重掺杂埋层中由高浓度快速扩散杂 质形成的附加局部集电区隐埋层，以及据此向正对器件发射区窗口下面的局部集 电区外延层中延伸而成的、杂质浓度呈倒梯度分布的集电区部分；其特征在于， 所述适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法包括以下步骤：

1)在重掺杂衬底或集电区重掺杂埋层中正对器件发射区窗口下方的区域， 由高浓度快速扩散杂质形成附加的局部集电区隐埋层；

2)利用外延工艺生长常规的轻掺杂集电区外延层；

3)利用附加的局部集电区隐埋层中的快速扩散杂质具有比构成重掺杂衬底 或集电区重掺杂埋层的杂质更高的扩散系数，借助上述外延工艺本身的热推进作 用，或通过其后的热扩散推进工艺或器件制备工艺所必需的热处理过程，使该附 加的局部集电区隐埋层中的杂质向正对器件发射区窗口下面的局部集电区外延 层中扩散，从而在此局部选择性地提高集电区杂质浓度，并形成所需要的从衬底 或集电区埋层向表面的倒梯度杂质浓度分布，同时使发射区窗口以外的集电区外 延层中的杂质浓度维持在较低的水平；

4)此后采用任何可行的双极晶体管的工艺流程完成器件的制备。

2.根据权利要求1所述适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方 法，其特征在于，形成附加局部集电区隐埋层的离子注入杂质离子为磷或硼。

3.根据权利要求1所述适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方 法，其特征在于，所述重掺杂衬底或集电区重掺杂埋层的初始材料中所掺杂的杂 质为扩散系数较小的砷或锑。

4.根据权利要求1所述适用于双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方 法，其特征在于，所述双极晶体管为异质结双极晶体管。