[发明专利]掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法

权利要求书

1、掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料，其特征在于：化合物的分子式表示为(RE_xRE′_y)M_1-x-y-z-δM′_z(Ta_1-u+δ′Nb_u+δ＂)O_4+δ，其中：RE和RE′代表稀土Yb、Nd、Er、Tm、Ho、Ce、Pr、Eu、Bi、Ti和Cr，M′和M为Sc、Y、Gd、Lu，x的取值范围为0～0.5，y的取值范围为0～0.5，且0<x+y≤0.5，z的取值范围为0～0.5，u的取值范围为0～0.5，δ的取值范围为-0.2～0.2，δ′+δ＂＝δ，在同一材料中，RE和RE′不同，M′和M不同。

2、如权利要求1所述的掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料的熔体法晶体生长方法，其特征在于：

(1)、(RE_xRE′_y)M_1-x-y-z-δM′_z(Ta_1-u+δ′Nb_u+δ＂)O_4+δ晶体生长原料的配料：

A、当RE、RE′均不为Ce时，采用RE₂O₃、RE′₂O₃、M₂O₃、M′₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

B、当RE＝Ce、RE′≠Ce时，以及RE＝Ti、RE′≠Ti时时，采用REO₂、RE′₂O₃、M₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅作为原料，按如下化合式进行配料，充分混合均匀后，在高温下发生固相反应后获得生长晶体所需的多晶原料：

C、晶体生长中存在杂质分凝效应，生长出的晶体成分和配料成分会有差别，但各组分的剂量在所述的化合物分子式指明的范围之内；

(2)、原料的压制和烧结，获得晶体生长初始原料：需要对(1)中配好的原料进行压制和烧结，压制成形；烧结温度在750～1700℃之间，烧结时间为10～72小时；或者压制成形后的原料不经额外烧结而直接用作生长晶体原料；

(3)、把晶体生长初始原料放入生长坩埚内，通过加热并充分熔化，获得晶体生长初始熔体；然后采用熔体法晶体生长工艺——提拉法、坩埚下降法、温梯法或者其它熔体法晶体生长方法进行生长。

3、如权利要求2所述的掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料的熔体法晶体生长方法，其特征在于，不采用籽晶定向生长，或者采用籽晶定向生长；对于采用籽晶定向生长，籽晶为(RE_xRE′_y)M_1-x-y-z-δM′_z(Ta_1-u+δ′Nb_u+δ＂)O_4+δ单晶，籽晶方向为晶体的二次对称轴方向，以及其它任意方向。