[发明专利]掺杂铌酸盐、钽酸盐及其混晶发光材料及其熔体法晶体生长方法无效
申请号: | 200810246216.0 | 申请日: | 2008-12-30 |
公开(公告)号: | CN101445727A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 张庆礼;殷绍唐;孙敦陆;刘文鹏;丁丽华;谷长江;秦清海;李为民 | 申请(专利权)人: | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78;C30B29/30 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230031安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂 铌酸盐 钽酸盐 及其 发光 材料 熔体法 晶体生长 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光材料和晶体生长领域,稀土Yb、Nd、Er、Tm、Ho、Ce、Pr、Eu掺杂,以及非稀土Bi、Ti、Cr掺杂的铌酸钪、钽酸钪、铌酸钇、钽酸钇、铌酸钆、钽酸钆、铌酸镥、钽酸镥及其混晶的发光材料,以及熔体法晶体生长方法。
背景技术
寻找新型优异性能激光材料、闪烁体材料是当前固体激光技术、核物理、核医学、激光医学等领域的重要课题。
在激光领域,YVO4、GdVO4是高效激光基质,且通常采用提拉法来进行生长,但由于生长过程中存在V的挥发,致使获得高质量大尺寸的晶体较为困难。另外,Yb、Nd、Er、Tm、Ho、Pr、Eu离子是重要的激光激活离子,它们有很多重要的激光通道,例如:Yb3+的有激光通道2F5/2→2F7/2,Nd3+有4F3/2→4I15/2、4I13/2、4I11/2、4I9/2激光通道,Ho3+有5S2→5I5/2、5I6→5I7、5I6→5I8等激光通道,Er3+有4S3/2→4I9/2、4S3/2→4I13/2、4S3/2→4I15/2、4I9/2→4I13/2、4I13/2→4I15/2等激光通道,Tm3+有1G4→3H6、3F4→3H5、3F4→3H4、3H4→3H6等激光通道,Pr3+有1D1→3F4、3P0→3H6、3P0→3F2、3P1→3H5、3P0→3H4等激光通道,Eu3+有5D0→7F2等激光通道。另外,Cr3+也是重要的激光激活离子,它的激光通道有2E→4A2、4T2→4A2等。这些激光发射波长分布在可见到近红外波段,是工业、科研、医疗、信息和通讯等领域的重要光源。Yb、Nd、Er、Tm、Ho、Ce、Pr、Eu、Cr离子掺杂的铌酸钪、钽酸钪、铌酸钇、钽酸钇、铌酸钆、钽酸钆、铌酸镥、钽酸镥及其混晶发光材料可作为激光晶体,它们在熔体法晶体生长中不存在明显的组分挥发,相对容易获得优质的激光晶体,是具有优良性能的激光晶体。
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