[发明专利]一种制作P型金属氧化物半导体的方法有效
| 申请号： | 200810247075.4 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101770955A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李若加;谭志辉;黎智 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 金属 氧化物 半导体 方法 | ||
1.一种制作P型金属氧化物半导体的方法，其特征在于，包括：
对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，形成N阱；
对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入；
对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作；
对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对硅片进行磷离子注入以及砷离子注入，包括：
使用中束流离子注入机台对所述硅片进行磷离子注入，注入能量为160Kev，注入剂量为1.1E13ion/cm^2；
使用中束流离子注入机台对经过磷离子注入的硅片进行砷离子注入，注入能量为70Kev，注入剂量为3E11ion/cm^2。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入，包括：
利用涂胶机在所述形成N阱后的硅片表面涂上光刻胶，使用预先制作好的VTP光刻版进行曝光，显影，注入P型离子。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述P型离子为二氟化硼离子，注入能量为60Kev，注入剂量为3.5E12ion/cm^2。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，对所述形成N阱后的硅片进行P型金属氧化物半导体PMOS阈值电压VTP注入后，还包括：
利用硫酸与双氧水的混合溶液去除涂在硅片表面的光刻胶。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对经过所述VTP注入的硅片进行栅极制作，包括：
在所述硅片表面依次生长第一设定厚度的栅极氧化层以及第二设定厚度的多晶硅；
对生长所述栅极氧化层以及多晶硅后的硅片进行栅极光刻以及刻蚀。
7.如权利要求1或6所述的方法，其特征在于，对经过所述栅极制作的硅片进行源漏注入，包括：
利用涂胶机在经过所述栅极制作的硅片表面涂上光刻胶，使用预先制作好的光刻版进行曝光，显影，注入P型离子。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述P型离子为硼离子，注入能力为40Kev，注入剂量为8E12ion/cm^2。
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