[发明专利]等离子显示屏、寻址电极结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200810247518.X | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101719448A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 邱晓兰 | 申请（专利权）人： | 四川虹欧显示器件有限公司 |
| 主分类号： | H01J17/02 | 分类号： | H01J17/02;H01J17/49;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 100085 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子 显示屏 寻址 电极 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种寻址电极结构，其特征在于，用于降低PDP屏的着火电压，其中，每条所述寻址电极上排列有多个横电极。
2.根据权利要求1所述的寻址电极结构，其特征在于，所述寻址电极的宽度为85um～110um，所述相邻两寻址电极的间距为121um～146um。
3.根据权利要求1或2所述的寻址电极结构，其特征在于，所述横电极的宽度为85um～110um。
4.根据权利要求3所述的寻址电极结构，其特征在于，每个所述横电极的长度为145um～170um。
5.根据权利要求4所述的寻址电极结构，其特征在于，每条所述寻址电极上的相邻两横电极之间的间距相等，所述间距在121～146um。
6.一种等离子显示屏，其特征在于，包括上基板和下基板，所述下基板上具有寻址电极，所述寻址电极的结构为根据权利要求1至5中任一项所述的寻址电极结构。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的寻址电极的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
首先，在丝网上制作带有所述横电极的漏印版图形；
接着，用感光浆料把所述漏印板上的图形印刷至玻璃基板上；
然后，通过曝光机曝光显影，以及
经过烘干和烧结得到具有横电极的寻址电极。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的寻址电极的制作方法，其特征在于，
所述烘干的烘干温度为90℃～110℃，所述烧结时间为12～15分钟。
9.根据权利要求8所述的寻址电极的制作方法，其特征在于，所述烧结的烧结温度为560℃～580℃，所述烘干时间为18～22分钟。
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