[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述数据线包括主干部分和分支部分，所述像素电极四周被所述数据线的主干部分和分支部分围成的图形所围绕。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管中的漏电极与所述像素电极连接，所述围绕像素电极设置的数据线的分支部分中与所述薄膜晶体管中的栅电极交叠的部分为所述薄膜晶体管中的源电极。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源电极、漏电极、数据线的图形和所述薄膜晶体管中的有源层的图形在一次构图工艺中形成。

4.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述源电极、漏电极和数据线的图形在一次构图工艺中形成，所述薄膜晶体管中的有源层的图形在另一次构图工艺中形成。

5.根据权利要求1-4中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，还包括公共电极线，与所述像素电极形成存储电容。

6.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形，所述数据线包括主干部分和分支部分；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层薄膜，形成钝化层过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积一层透明导电层薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图形，所述像素电极的图形被所述数据线的主干部分和分支部分形成的图形围绕。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤11、在基板上沉积一层栅金属层薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线和栅电极图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上依次沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属层薄膜，采用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形，所述数据线包括主干部分和分支部分。

8.根据权利要求6所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1具体包括：

步骤21、在基板上沉积一层栅金属层薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上依次沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和掺杂半导体层薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括有源层的图形；

步骤23、在完成步骤22的基板上沉积源漏金属层薄膜，采用普通掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形，所述数据线包括主干部分和分支部分。

9.根据权利要求6-8中任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1中还包括形成公共电极线的步骤。