[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法有效

申请号：	200810247591.7	申请日：	2008-12-30
公开（公告）号：	CN101770123A	公开（公告）日：	2010-07-07
发明（设计）人：	邱海军;王章涛;闵泰烨;赵继刚	申请（专利权）人：	北京京东方光电科技有限公司
主分类号：	G02F1/1362	分类号：	G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84
代理公司：	北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205	代理人：	刘芳
地址：	100176北京***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	tft lcd 阵列及其制造方法
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)阵列基板及其制造方法。

背景技术

TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒形成，具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前平板显示器市场占据了主导地位。

如图1所示为现有技术中TFT-LCD阵列基板平面示意图，现有技术TFT-LCD阵列基板结构包括栅线2b、公共电极线2c和数据线5c，栅线2b和数据线5c限定了像素区域，并在交叉处形成TFT，TFT包括与栅线2b连接的栅电极2a、作为开关导电介质的有源层4和形成TFT沟道的漏电极5b和源电极5a，源电极5a与数据线5c连接，漏电极5b与像素电极7通过过孔6a连接，公共电极线2c与栅线2b平行，并位于相邻二个栅线2b之间。

在现有技术中，阵列基板上的数据线通常设置在像素电极的一侧，如果在形成阵列基板的过程中，数据线发生偏移，将导致像素电极和数据线之间寄生电容发生变化，造成单个像素电极上寄生电容增大或减小，从而导致整个画面显示不均匀。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中存在的问题，提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，能够克服现有技术中由于数据线发生偏移导致的单个像素电极上的寄生电容发生增大或减小的缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线、和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述数据线包括主干部分和分支部分，所述像素电极四周被所述数据线的主干部分和分支部分围成的图形所围绕。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上形成包括栅线、栅电极、有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道的图形，所述数据线包括主干部分和分支部分；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积一层钝化层薄膜，形成钝化层过孔；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积一层透明导电薄膜，通过构图工艺形成像素电极的图形，所述像素电极的图形被所述数据线的主干部分和分支部分围成的图形所围绕。

本发明提供的TFT-LCD阵列基板及其制造方法，数据线包括主干部分和分支部分，主干部分和分支部分围成的图形将像素电极的图形围绕，这样，即使数据线向一个方向发生了偏移，也会由于数据线整体的对称分布，不会造成单个像素电极上的寄生电容的变化，从而可以克服现有技术中由于数据线发生偏移导致的单个像素电极上的寄生电容发生增大或减小的缺陷。

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

附图说明

图1所示为现有技术中TFT-LCD阵列基板平面示意图；

图2所示为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图；

图3a所示为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例中第一次构图工艺之后阵列基板的平面示意图；

图3b所示为图3a中A-A向截面图；

图3c所示为图3a中B-B向截面图；

图4a所示为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例中第二次构图工艺中通过半色调或灰色调掩模板曝光显影之后的TFT的截面图；

图4b所示为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例中第二次构图工艺中通过半色调或灰色调掩模板曝光显影之后的公共电极线部分的截面图；

图4c所示为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例中第二次构图工艺中第一次刻蚀之后的TFT的截面图；

图4d所示为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例中第二次构图工艺中第一次刻蚀之后的公共电极线部分的截面图；

图4e所示为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例中第二次构图工艺中光刻胶灰化之后的TFT截面图；