[发明专利]光源模组及其制造方法无效
申请号: | 200810300012.0 | 申请日: | 2008-01-03 |
公开(公告)号: | CN101477981A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 江文章 | 申请(专利权)人: | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/38;H01L21/50;F21V29/00 |
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地址: | 201600上海市松江区松*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 模组 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种光源模组及其制造方法,尤其是一种具良好散热性能的光源模组及其制造方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)为一种固态光学元件,其电、光特性及寿命对温度敏感,在此,一种在温度变化过程中还能保持稳定光强的新型发光二极管可参见Yukio Tanaka等人在文献IEEE Transactions On Electron Devices,Vol.41,No.7,July1994中的A Novel Temperature-StableLight Emitting Diode一文。一般而言,较高的温度会导致低落的内部量子效应并且寿命也会明显缩短;另一方面,半导体的电阻随着温度的升高而降低,滑落的电阻会带来较大的电流及更多的热产生,造成热累积现象的发生;此一热破坏循环往往会加速破坏高功率LED光源模组。
如图1所示,一种典型的LED光源模组100包括:一个印刷电路板(Printed CircuitBoard,PCB)101、多个设置在该印刷电路板101上的发光元件102(如,LED),及一个用于对该多个发光元件102进行散热的散热元件103。一种制作该LED光源模组100的方法包括以下步骤:将多个发光元件102设置在该印刷电路板101上并使其与该印刷电路板101上的金属线路形成电连接;将该散热元件103设置在该印刷电路板101的远离该多个发光元件102的一侧,并使该散热元件103通过导热膏与印刷电路板101形成热性连接。然而,使用该方法制得的LED光源模组100的散热性能较差。
发明内容
下面将以实施例说明一种光源模组及其制造方法。
一种光源模组,其包括一个发光模组及一个热电致冷器。该发光模组包括一第一绝缘基板及设置在其上的多个发光二极管芯片;该热电致冷器形成在该第一绝缘基板的与该多个发光二极管芯片相对的一侧上,其包括一第二绝缘基板及一热电致冷单元组,该第二绝缘基板与该第一绝缘基板相对设置,该热电致冷单元组设置在该第一绝缘基板与该第二绝缘基板之间且与该第一绝缘基板与该第二绝缘基板热连接,该热电致冷单元组包括多个连接在一起的热电致冷单元。
一种光源模组的制造方法,其包括以下步骤:(A)提供一第一绝缘基板,并在其一第一表面上形成金属线路及多个发光二极管芯片;(B)在该第一绝缘基板的与其第一表面相对的第二表面上形成一热电致冷器,该热电致冷器包括一第二绝缘基板及一热电致冷单元组,该第二绝缘基板与该第一绝缘基板相对设置,该热电致冷单元组设置在该第一绝缘基板与该第二绝缘基板之间且与该第一绝缘基板与该第二绝缘基板热连接,该热电致冷单元组包括多个连接在一起的热电致冷单元。
相对于现有技术,所述光源模组中的热电致冷器设置在该第一绝缘基板的远离该多个发光二极管芯片的一侧上,该多个发光二极管芯片产生的热量经过较短的距离即可传入该热电致冷器,提高了该热电致冷器对多个发光二极管芯片的散热效率。并且,该热电致冷器可对该多个发光二极管芯片的散热效率进行主动控制,由此可使该多个发光二极管芯片在一恒定的温度范围内工作,以保证该多个发光二极管芯片具有稳定的光电特性,提升该光源模组的工作效率。所述光源模组的制造方法是先在绝缘基板的第一表面上形成多个发光二极管芯片及金属线路,再在该绝缘基板的与第一表面相对的第二表面上形成一热电致冷器,从而实现该多个发光二极管芯片,金属线路及热电致冷器共用一个绝缘基板。
附图说明
图1是现有技术中的一种LED装置的侧视图。
图2是本发明第一实施例的光源模组的截面示意图。
图3是图2所示光源模组所包括的发光二极管采用覆晶封装的截面示意图。
图4是在第一绝缘基板的第一表面上形成金属线路及多个发光二极管芯片的状态示意图。
图5是在图4中所示第一绝缘基板的第一表面上涂覆保护层的状态示意图。
图6是在图5中所示第一绝缘基板的第二表面上形成热电致冷器的状态示意图。
图7是将图6中所示第一绝缘基板的第二表面上的保护层去除后的状态示意图。
图8是将图7中所示的多个发光二极管芯片分别与金属线路打线连接,并将多个封装体设置在该绝缘基板的第一表面上的状态示意图。
图9是在第一绝缘基板的第一表面上形成金属线路并将多个发光二极管芯片覆晶封装在该第一表面上的状态示意图。
图10是在图9中所示第一绝缘基板的第一表面上涂覆保护层的状态示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司,未经富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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