[发明专利]具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法

权利要求书

1.一种具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：至少包含下列步骤：

A、提供一多层增层载板；该多层增层载板包含一增层载板及一金属基核心载体，该增层载板包括一第一表面及一相对的第二表面，且该第一表面面对第一方向，由该第二表面接触该金属基核心载体，并在第一方向垂直延伸于该金属基核心载体之外，且该增层载板透过该金属基核心载体作电性连接；

B、将一半导体芯片以机械方式附着于该多层增层载板上；该半导体芯片包含一第一表面及一相对的第二表面，且该半导体芯片的第一表面包含一电极；

C、形成电子连接接合点，电性连接该增层载板与该半导体芯片的电极；

D、构成封装结构，覆盖该半导体芯片及该增层载板；该封装结构包含一面对第一方向的第一表面、及一面对于相对该第一方向的第二方向的第二表面，且该封装结构在该第一方向垂直延伸于该半导体芯片、该增层载板及该金属基核心载体之外；以及

E、蚀刻该金属基核心载体，从而形成该半导体芯片的组装。

2.如权利要求1所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述增层载板的构装包含在该金属基核心载体上形成数个凹洞后，置放终端于该数个凹洞中，以及于该金属基核心载体上逐次置放线路层。

3.如权利要求2所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述数个凹洞的形成包含在该金属基核心载体上形成介电层，且该介电层包含开口，该开口显露出部分的金属基核心载体，以及透过该介电层的开口，蚀刻显露的金属基核心载体，而不蚀刻穿透该金属基核心载体。

4.如权利要求2所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述终端导电体的置放包含在该金属基核心载体上形成介电层，且该介电层包含开口，系显露出该凹洞的部分，以及经由该介电层的开口逐次置放终端金属及导电填充物，在该凹洞中构装该终端，并于一第二方向以该金属基核心载体覆盖该终端金属及该导电填充物。

5.如权利要求2所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述线路层的逐次置放包含至少放置两层线路层的上方线路层与下方线路层，以及在该两层线路层间的介电层。

6.如权利要求5所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述线路层的逐次置放透过该介电层上至少一个导电盲孔，连接该上方线路层与该下方线路层。

7.如权利要求1所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述增层载板的构装包含置放终端金属于该金属基核心载体形成终端，以及于该金属基核心载体上逐次置放线路层。

8.如权利要求1所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述方法进一步包含在该金属基核心载体于蚀刻之前，将该半导体芯片附着于该增层载板，并将二者互相连接。

9.如权利要求1所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述金属基核心载体于蚀刻之前进行该封装。

10.如权利要求1所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述金属基核心载体的蚀刻包含显露的线路层、介电层、及终端，且不显露第二方向的封装结构。

11.如权利要求1所述的具消耗性金属基核心载体的半导体芯片制造组装方法，其特征在于：所述金属基核心载体的蚀刻是将一电路图案与其它于该增层载板上形成的电路图案作电隔离。