[发明专利]遮光元件及其镀膜方法

权利要求书

1.一种遮光元件的镀膜方法，其包括以下步骤：

提供一镀膜机、一金属靶材、一试验基材及一待镀膜基材；

将金属靶材及试验基材放入镀膜机的真空腔后，调整镀膜机的电子束的 功率及镀膜机气体源的气体释放量，使电子束轰击产生的金属靶材离子与所 释放的气体完全反应；

取出试验基材，并将待镀膜基材放入真空腔，通过调整电子束的功率或 气体源的气体释放量之一，在所述待镀膜基材上形成一层膜层，且从靠近待 镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧，所述膜层中金属靶材单质的沉积浓度 逐渐增加，而金属靶材反应物的沉积浓度逐渐减小；

当膜层的电阻值保持不变后，镀膜完成。

2.如权利要求1所述的遮光元件的镀膜方法，其特征在于：在对试验基 材进行镀膜过程中，当设定的气体源的气体每秒的释放量小于每秒蒸发的金 属靶材离子完全反应所需要的气体量时，逐渐调整气体源的气体释放量至使 金属靶材离子完全反应的一临界释放量。

3.如权利要求2所述的遮光元件的镀膜方法，其特征在于：在对试验基 材进行镀膜过程中当设定的气体源的气体每秒的释放量大于每秒蒸发的金 属靶材离子完全反应所需要的气体量时，逐渐调整电子束功率至使所释放的 气体能完全反应的一第二功率。

4.如权利要求3所述的遮光元件的镀膜方法，其特征在于：在对待镀膜 基材镀膜过程中，使气体源以预设释放量释放气体，且所述预设释放量等于 临界释放量，提高电子束功率至一第三功率，且第三功率大于第二功率，使 金属靶材离子每秒的蒸发量大于气体源每秒释放的气体完全反应所需要的 量，通过设定不同的第三功率得到不同遮光效果的遮光元件。

5.如权利要求3所述的遮光元件的镀膜方法，其特征在于：在对待镀膜 基材镀膜过程中，使电子束以第三功率轰击靶材，且所述第三功率等于第二 功率，降低气体源的气体释放量到一预设释放量，且所述预设释放量小于临 界释放量，使金属靶材离子每秒的蒸发量大于气体源每秒释放的气体完全反 应所需要的量，通过设定不同的预设释放量得到不同遮光效果的遮光元件。

6.如权利要求1所述的遮光元件的镀膜方法，其特征在于：所述金属靶 材为铬或钛。

7.如权利要求1所述的遮光元件的镀膜方法，其特征在于：所述气体源 释放出的气体为氧气或氮气。

8.一种遮光元件，其包括一待镀膜基材及一膜层，其特征在于：所述 膜层为金属靶材及金属靶材反应物的混合体，从靠近待镀膜基材一侧到远离 待镀膜基材一侧，所述膜层中金属靶材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属靶 材反应物的沉积浓度逐渐减小，所述金属靶材单质具有反射光线的作用，所 述金属靶材反应物具有吸收光线的作用。

9.如权利要求8所述的遮光元件，其特征在于：所述金属靶材为钛或 铬。

10.如权利要求8所述的遮光元件，其特征在于：所述膜层根据光学要 求厚度不一样。

11.如权利要求8所述的遮光元件，其特征在于：所述金属靶材反应物 为单质材料的氧化物或氮化物。