[发明专利]遮光元件及其镀膜方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种遮光元件及其镀膜方法。

背景技术

光学薄膜基本上是通过干涉作用而达到其效果，是指在光学组件上或独 立基材上镀上一层或多层介电质膜或金属膜或介电质膜膜堆或金属膜膜堆 来改变光波传递特性。而目前很多光学仪器，如传感器、半导体雷射、干涉 仪、近视眼镜、太阳眼镜、光纤通讯等都需光学薄膜。

目前，光学薄膜制作以物理蒸镀法为主(physics vapor deposition，简称 PVD)，该方法为将薄膜材料由固态转化为气态或离子态，气态或离子态材 料，由蒸发源穿越空间，抵达玻璃表面，材料抵达玻璃表面后，将沉积而逐 渐形成薄膜。通常，为使制作的薄膜拥有高纯度，镀膜的制程须于高真空环 境下完成。由此延伸出真空镀膜，一般做法为将基片以超音波洗净机洗净， 洗净后排上夹具，送入镀膜机，开始加热和抽真空。达到高真空后，开始镀 膜。镀膜时，以电子枪方式或电阻式对蒸镀源加热，将镀膜材料变成离子态， 蒸镀时间则视层数和程序不同而有长短。镀膜完毕后，待温度冷却后取出。

然而，在对遮光元件进行镀膜的过程中，都是通过金属膜堆叠达到遮光 效果的，当需要得到不同光学参数的遮光膜层时，就要不断改变靶材和相关 参数，使得镀膜过程相当复杂。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种在镀膜过程中可任意改变遮光效果的的遮光 元件以及不需要改变靶材就可实现遮光效果调整的镀膜方法。

一种遮光元件的镀膜方法，其包括以下步骤：提供一镀膜机、一金属靶 材、一试验基材及一待镀膜基材；将金属靶材及试验基材放入镀膜机的真空 腔后，调整镀膜机的电子束的功率及镀膜机气体源的气体释放量，使因电子 束轰击产生的金属靶材离子与所释放的气体完全反应；取出试验基材，并将 待镀膜基材放入真空腔，通过调整电子束的功率或气体源的气体释放量之 一，在所述待镀膜基材上形成一层膜层，使从靠近待镀膜基材一侧到远离待 镀膜基材一侧，所述膜层中金属靶材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属靶材 化合物的沉积浓度逐渐减小；当膜层的电阻值保持不变后，镀膜完成。

一种遮光元件，其包括一待镀膜基材及一膜层，所述膜层为金属靶材及 金属靶材反应物的混合体，从靠近待镀膜基材一侧到远离待镀膜基材一侧， 所述膜层中金属靶材单质的沉积浓度逐渐增加，而金属靶材反应物的沉积浓 度逐渐减小，所述金属靶材单质具有反射光线的作用，所述金属靶材反应物 具有吸收光线的作用。

与现有技术相比，本发明通过不断调整镀膜机的电子束的功率和通入真 空腔内的气体的量，而无需改变金属靶材的材料，就可得到不同遮光效果的 遮光元件。

附图说明

图1是本发明第一实施方式提供的遮光元件的镀膜方法的流程图。

图2是图1中金属靶材离子的蒸发量和气体的释放量的关系曲线图。

图3是本发明第二实施方式提供的遮光元件的镀膜方法的流程图。

图4是图3中金属靶材离子的蒸发量和气体的释放量的关系曲线图。

图5是本发明第三实施方式提供的遮光元件的镀膜方法的流程图。

图6是图5中金属靶材离子的蒸发量和气体的释放量的关系曲线图。

图7是本发明第四实施方式提供的遮光元件的镀膜方法的流程图。

图8是图7中金属靶材离子的蒸发量和气体的释放量的关系曲线图。

图9是本发明实施提供的遮光元件的立体示意图。

图10是本发明实施提供的遮光元件的光学效果示意图。

具体实施方式

以下将结合附图对本发明作进一步的详细说明。

第一实施方式

如图1及图2所示，本发明第一实施方式提供的遮光元件的镀膜方法， 其包括以下步骤：

S101a：提供一镀膜机、一金属靶材、一试验基材及一待镀膜基材；所 述镀膜机包括一真空腔、一电子枪及一汽体源，所述电子枪、汽体源、金属 靶材及基材都位于真空腔内；所述电子枪用于放射出高强度的电子束使金属 靶材受热蒸发为离子状态，所述汽体源用于释放出与金属靶材离子反应的气 体；所述金属靶材具有较好的反射光线的作用，且所述金属靶材与汽体源释 放出的气体的金属靶材反应物具有较高的吸光效果，所述金属靶材可为铬 (Cr)或钛(Ti)；所述试验基材和待镀膜基材为同一材质基材，其为透明 玻璃；