[发明专利]壳体的制作方法及由该方法制得的壳体无效
申请号: | 200810305305.8 | 申请日: | 2008-10-30 |
公开(公告)号: | CN101722778A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 戴丰源;罗勇达;姜传华;韩婧;严琦琦;张保申;乔勇;刘伟 | 申请(专利权)人: | 深圳富泰宏精密工业有限公司 |
主分类号: | B44C1/00 | 分类号: | B44C1/00;C25D11/00 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 壳体 制作方法 法制 | ||
1.一种壳体的制作方法,其包括如下步骤:
提供一金属基体;
在该金属基体表面蚀刻凹槽,使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位,未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位;
对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层,该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面;
对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。
2.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述蚀刻凹槽的方式为化学蚀刻或CNC数控机床雕刻。
3.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述微弧氧化处理在电解液中进行,该电解液中含有氢氧化物、磷酸盐、硼酸盐、硅酸盐及铝酸盐中的一种或几种。
4.如权利要求3所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述电解液中含有钨酸盐,钒酸盐,硫酸盐,氟化钠、乙酸钴、山梨醇及甘油中的一种或几种。
5.如权利要求4所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述电解液的pH值为10.5~12.5。
6.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述微弧氧化处理采用正负双向脉冲电压,其中最大恒定正电压为450V~650V,最大恒定负电压为30V~200V,正负向脉宽为1000~10000μs,脉间为300~2000μs。
7.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述对微弧氧化膜层进行抛光处理的方法为机械抛光,其包括粗抛光、中抛光及精抛光步骤。
8.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述金属基体的材料为铝、铝合金、镁、镁合金、钛及钛合金中的任一种。
9.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述微弧氧化处理前对所述金属基体进行除污清洗处理。
10.如权利要求1所述的壳体的制作方法,其特征在于:所述抛光处理后对所述微弧氧化膜层进行封孔处理。
11.一种壳体,其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层,其特征在于:所述金属基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽,所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。
12.如权利要求11所述的壳体,其特征在于:所述形成凹槽的方式为化学蚀刻或CNC数控机床雕刻。
13.如权利要求11所述的壳体,其特征在于:所述金属基体的材料为铝、铝合金、镁、镁合金、钛及钛合金中的任一种。
14.如权利要求11所述的壳体,其特征在于:所述抛光为机械抛光。
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