[发明专利]壳体的制作方法及由该方法制得的壳体

说明书

技术领域

本发明是关于一种壳体的制作方法及由该方法所制得的壳体。

背景技术

现有对便携式电子装置的金属壳体的表面通常会进行表面处理以使其表面上生成一硬度高、耐腐蚀性强的氧化膜层。微弧氧化技术(又称等离子体氧化、阳极火花沉积、火花放电阳极沉积和表面陶瓷化等)是一种直接在金属表面原位生长氧化膜层的技术。该技术在金属壳体表面生成的氧化膜层耐磨性能好、耐腐蚀性及耐热冲击性强，绝缘性能佳。但该氧化膜层呈单一的哑光雾面外观，视觉效果单一，装饰性不强，难以提高产品的附加价值及吸引消费者的眼球。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种使壳体既具有耐磨性能好、耐腐蚀性及耐热冲击性强的氧化膜层又具较佳装饰效果的壳体的制作方法。

另外，还有必要提供一种由上述方法所制得的壳体。

一种壳体的制作方法，其包括如下步骤：

提供一金属基体；

在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的区域成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的区域成为凸起部位；

对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面；

对该微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。

一种壳体，其包括一金属基体及一形成于金属基体上的微弧氧化膜层，所述金属基体与微弧氧化膜层相结合的面上形成有凹槽，所述微弧氧化膜层上相对应金属基体该面上未形成有凹槽的区域被抛光呈现出镜面效果。

本发明壳体的制作方法通过先在金属基体的表面蚀刻出凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位，再对该金属基体进行微弧氧化处理以在金属基体表面形成一具有凹陷面及凸起面的微弧氧化膜层，然后对微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理，使该凸起面呈现出镜面效果，而微弧氧化膜层的凹陷面仍为哑光雾面效果，使得本发明壳体表面既具有微弧氧化膜层的耐磨性能好、耐腐蚀及耐热冲击性强等优点，同时该壳体又克服了微弧氧化膜层哑光雾面的单一外观，在呈现出镜面效果的同时又具有哑光雾面效果，可大大提高产品的附加价值，提升产品对顾客的吸引力。

附图说明

图1为本发明较佳实施方式壳体的剖视放大图。

具体实施方式

本发明较佳实施方式的壳体的制作方法包括如下步骤：

提供一金属基体。该金属基体的材料可为铝、铝合金、镁、镁合金、钛及钛合金中的任一种。

在该金属基体表面蚀刻凹槽，使金属基体上被蚀刻凹槽的部位成为凹陷部位，未被蚀刻凹槽的部位成为凸起部位。所述蚀刻凹槽的方式可为化学蚀刻或CNC数控机床雕刻。所述凹槽呈图案状，该图案可为产品的商标或标志性图案，亦可为其他具装饰效果的图案。

对蚀刻凹槽后的金属基体进行微弧氧化处理以在其凹陷部位及凸起部位上形成一微弧氧化膜层。该微弧氧化处理包括如下步骤：

将该金属基体置入碱性除污液中进行除污处理约10分钟，以清除所述基体上的油污及脏物。除污后对金属基体进行水洗处理。

将除污后的金属基体置于含电解液的不锈钢氧化槽中进行微弧氧化处理。所述电解液可为磷酸盐溶液、硼酸盐溶液、硅酸盐溶液、铝酸盐溶液及氢氧化物溶液中的一种或几种。所述电解液中还可添加钨酸盐、钒酸盐、偏钒酸铵、硫酸盐、氟化钠、乙酸钴、山梨醇及甘油中的一种或几种。所述电解液的pH值为10.5～12.5。所述微弧氧化处理时以所述金属基体为阳极，不锈钢氧化槽为阴极，并对该金属基体施以正负双向脉冲电压。所述正负双向脉冲电压在切换时均以一定速率上升到最大值后保持恒定，其中最大恒定正电压为450V～650V，最大恒定负电压为30V～200V，正负向脉宽可为1000～10000μs，脉间为300～2000μs。所述对金属基体进行微弧氧化处理的时间为30～180分钟，处理温度为20～50℃。所述微弧氧化处理完成后在金属基体表面形成一微弧氧化膜层，该微弧氧化膜层相对应形成有凹陷面及凸起面。

微弧氧化处理完成后对所述形成有微弧氧化膜层的金属基体进行水洗及烘干处理。

对所述微弧氧化膜层的凸起面进行抛光处理。所述抛光处理的方法可为机械抛光，抛光的步骤包括粗抛光、中抛光及精抛光。所述粗抛光可选择铜质抛光盘进行，抛光时间为4-7分钟；中抛光可选择树脂抛光盘进行，抛光时间为1-4分钟；精抛光可选择聚氨酯抛光皮进行，抛光时间为0.5-1.5分钟。所述抛光处理完成后微弧氧化膜层的凸起面便呈现出镜面效果。