[发明专利]铜核层多层封装基板的制作方法

权利要求书

1.一种铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：至少包含下列步骤：

(A)提供铜核基板；

(B)分别于该铜核基板的第一面上形成第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜核基板的第一面；

(C)于数个第一开口中形成数金属层，以形成球侧电性接垫；

(D)移除该第一阻层及该第二阻层；

(E)于该铜核基板的第一面上形成第一介电层及第一金属层；

(F)于该第一金属层及该第一介电层上形成数个第二开口，并显露其下的球侧电性接垫；

(G)于数个第二开口中以及该球侧电性接垫与该第一金属层上形成第二金属层；

(H)分别于该第二金属层上形成第三阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第四阻层，于其中，该第三阻层上形成数个第三开口，并显露其下的第二金属层；

(I)移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成第一线路层；

(J)移除该第三阻层及该第四阻层，至此，完成具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板；

(L)于该单层增层线路基板上进行线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层及该第一介电层上形成第二介电层，并且在该第二介电层上形成数个第五开口，以显露其下的第一线路层，接着于该第二介电层与数个第五开口表面形成第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成第六阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第七阻层，并于该第六阻层上形成数个第六开口，以显露其下的第一晶种层，之后于该第六开口中已显露的第一晶种层上形成第三金属层，最后移除该第六阻层、该第七阻层及该第一晶种层，以在该第二介电层上形成第二线路层，至此，完成具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板，并继续本步骤(L)增加线路增层结构，形成具更多层的封装基板；

(K)于该单层增层线路基板上进行置晶侧线路层制作，于其中，在该第一线路层表面形成第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第四开口，以显露该第一线路层作为电性连接垫的部分；接着于该铜核基板第二面上形成第五阻层，并于数个第四开口中形成第一阻障层，最后再移除该第五阻层，至此，完成具有完整图案化的置晶侧线路层与已图案化但仍完全电性短路的球侧线路层；

(M)于该双层增层线路基板上完成含封胶体的封装制程后，移除该铜核基板，并显露出预埋的数金属层，以形成球侧电性接垫。

2.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述铜核基板为不含介电层材料的铜板。

3.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述第一～七阻层为以贴合、印刷或旋转涂布所为的干膜或湿膜的高感旋光性光阻。

4.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述数个第一、三、四及六开口以曝光及显影方式形成。

5.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述第一开口中形成的数金属层、该第二、三金属层及该第一晶种层的形成方式为无电电镀与电镀。

6.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述数金属层为金/镍/铜的金属结构。

7.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述第一～七阻层的移除方法为剥离。

8.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(E)是以直接压合该第一介电层及该第一金属层于其上。

9.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述步骤(E)采取贴合该第一介电层后，再形成该第一金属层。

10.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述第一、二介电层为环氧树脂绝缘膜、苯环丁烯、双马来亚酰胺三氮杂苯树脂、环氧树脂板、聚酰亚胺或聚四氟乙烯之中选择其一加入玻璃纤维组成。

11.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述数个第二、五开口是先做开铜窗后，再经由镭射钻孔方式形成。

12.如权利要求1所述的铜核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：所述数个第二、五开口是以直接镭射钻孔方式形成。